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Dado oficial do INPI

MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO OPTOELETRÔNICO COM HETEROJUNÇÃO DE MASSA

ArquivadaPatente de InvençãoPCT · US2005012928

Dados do pedido

Número

PI0508779

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

13/04/2005

Publicação

04/09/2007

PCT

US2005012928

Andamento no INPI

  1. Depósito13/04/05
  2. Publicação04/09/07
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 13/04/2005, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 15/06/2010. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

T. U. (pessoa física)

US

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Inventores

F. Y. (pessoa física)

US

M. S. (pessoa física)

US

S. F. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

US

10/824.288 · 13/04/2004

US

10/999.716 · 30/11/2004

Resumo técnico

MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO OPTOELETRÔNICO COM HETEROJUNÇÃO DE MASSA. Um método de fabricação de um dispositivo optoeletrônico que consiste em: depósito de uma primeira camada com protrusões sobre um primeiro eletrodo, em que a primeira camada consiste em um primeiro material de molécula pequena orgânica; depósito de uma segunda camada na primeira camada, de modo que a segunda camada esteja em contato físico com a primeira camada; em que a dimensão lateral menor das protrusões tem entre 1 a 5 vezes o comprimento de difusão de éxciton do primeiro material de molécula pequena orgânica; e depósito de um segundo eletrodo sobre a segunda camada para formar o dispositivo optoeletrônico. Também é fornecido um método de fabricação de um dispositivo optoeletrônico orgânico com uma heterojunção de massa e consiste em: depósito de uma primeira camada com protrusões sobre um eletrodo por reposição orgânica em fase vapor; depósito de uma segunda camada sobre a primeira camada em que a interface das primeira e segunda camadas forma uma heterojunção de massa; e depósito de outro eletrodo sobre a segunda camada.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI

#11.1.1

15/06/2010

RPI 2058

Arquivamento - Art. 33 da LPI

#11.1

22/12/2009

RPI 2033

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

04/09/2007

RPI 1913

Monitoramento de patentes

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