Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI
#11.1.1
15/06/2010
RPI 2058
Dados do pedido
Número
PI0508779Tipo
Depósito
Publicação
PCT
US2005012928 Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 13/04/2005, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 15/06/2010. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
T. U. (pessoa física)
US
Inventores
F. Y. (pessoa física)
US
M. S. (pessoa física)
US
S. F. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
10/824.288 · 13/04/2004
US
10/999.716 · 30/11/2004
Resumo técnico
MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO OPTOELETRÔNICO COM HETEROJUNÇÃO DE MASSA. Um método de fabricação de um dispositivo optoeletrônico que consiste em: depósito de uma primeira camada com protrusões sobre um primeiro eletrodo, em que a primeira camada consiste em um primeiro material de molécula pequena orgânica; depósito de uma segunda camada na primeira camada, de modo que a segunda camada esteja em contato físico com a primeira camada; em que a dimensão lateral menor das protrusões tem entre 1 a 5 vezes o comprimento de difusão de éxciton do primeiro material de molécula pequena orgânica; e depósito de um segundo eletrodo sobre a segunda camada para formar o dispositivo optoeletrônico. Também é fornecido um método de fabricação de um dispositivo optoeletrônico orgânico com uma heterojunção de massa e consiste em: depósito de uma primeira camada com protrusões sobre um eletrodo por reposição orgânica em fase vapor; depósito de uma segunda camada sobre a primeira camada em que a interface das primeira e segunda camadas forma uma heterojunção de massa; e depósito de outro eletrodo sobre a segunda camada.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#11.1.1
15/06/2010
RPI 2058
#11.1
22/12/2009
RPI 2033
#1.3
04/09/2007
RPI 1913
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