Dado oficial do INPI

CAMS DE PORTA DUPLA PARA UMA MEMÓRIA NÃO-VOLÁTIL DE OPERAÇÃO INSTANTÂNEA

ArquivadaPatente de InvençãoPCT · US2001016393

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Dados do pedido

Número

PI0111245

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

21/05/2001

Publicação

03/06/2003

PCT

US2001016393

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Andamento no INPI

Depósito21/05/01
Publicação03/06/03
Arquivado
Deferimento
Concessão
Em vigor

Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 21/05/2001, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 18/04/2006. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

Advanced Micro Devices, INC.

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Inventores

A. A. (pessoa física)

L. C. (pessoa física)

Dados técnicos

Classificação IPC

G06F 11/20

Prioridades unionistas

09/829.657 · 10/04/2001

60/208.449 · 31/05/2000

Resumo técnico

"CAMS DB PORTA DUPLA PARA UMA MEMÓRIA NÃO-VOLÁTIL DE OPERAÇÃO INSTANTÂNEA". É descrita uma memória não-volátil que tem conjunto de circuitos redundantes de memória endereçável por conteúdo (CAM) (106). A memória não-volátil é capaz de substituir uma segunda célula de memória para uma célula inoperante de memória. A memória não-volátil inclui um conjunto principal (118, 120, 122, 124, 134, 136, 138, 140) de células de memória, um conjunto redundante (126, 128, 130, 132, 142, 144, 146, 148) de células de memória e o conjunto de circuitos redundante de CAM (106). O conjunto de circuitos redundante de CAM (106) inclui diversos estágios de CAM de porta dupla (200). Cada estágio de CAM (200) inclui uma célula de CAM (202), uma barra de dados de gravação (204) acoplada à célula de CAM (202) e uma barra de dados de leitura (206) acoplada à célula de CAM (202). A célula de CAM (202) armazena informações referentes a uma localização de uma célula inoperante de memória no conjunto principal (118, 120, 122, 124, 134, 136, 138, 140). A célula inoperante de memória necessita de uma substituição por uma segunda célula de memória no conjunto redundante (126, 128, 130, 132, 142, 144, 146, 148). A barra de dados de gravação (204) produz as informações provenientes da célula de CAM (202) em resposta a um sinal de seleção de gravação (WSELm). O sinal de seleção de gravação (WSELm) é indicativo de uma operação de gravação a ser realizada em localizações da célula de memória no conjunto principal (118, 120, 122, 124, 134, 136, 138, 140). A barra de dados de leitura (206) produz as informações provenientes da célula de CAM (202) em resposta a um sinal de seleção de leitura (RSELm) . O sinal de seleção de leitura (RSELM) é indicativo de uma operação de leitura a ser realizada em localizações da célula de memória no conjunto principal (118, 120, 122, 124, 134, 136, 138, 140).