Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI
#11.1.1
23/11/2004
RPI 1768
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Dado oficial do INPI
TRANSISTOR SiC NMOSFET PARA USO COMO INTERRUPTOR DE FORÇA E MÉTODO PARA SUA FABRICAÇÃO
ArquivadaPatente de Invenção
Dados do pedido
Número
PI0006785Tipo
Patente de Invenção
Depósito
13/11/2000
Publicação
04/09/2001
Andamento no INPI
- Depósito13/11/00
- Publicação04/09/01
- Arquivado
- Deferimento
- Concessão
- Em vigor
Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 13/11/2000, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 23/11/2004. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
Lucent Technologies INC.
US
Inventores
A. L. (pessoa física)
US
J. T. (pessoa física)
US
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
09/448.856 · 23/11/1999
Resumo técnico
TRANSISTOR SIC NMOSFET PARA USO COMO INTERRUPTOR DE FORÇA E MÉTODO PARA SUA FABRICAÇÃO Transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico lateral (MOSFET) formado sobre o substrato de uma pastilha semicondutora, método para sua fabricação e dispositivo semicondutor incorporando o MOSFET ou o método. Numa modalidade, o MOSFET inclui uma camada de carbureto de silício localizada sobre ou dentro do substrato, uma porta formada sobre a camada de carbureto de silício. O MOSFET inclui, ainda, regiões de fonte e dreno localizadas na camada de carbureto de silício e em contato com a porta, sendo que a camada de carbureto de silício aumenta a tensão de ruptura do MOSFET.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Arquivamento - Art. 33 da LPI
#11.1
22/06/2004
RPI 1746
Publicação do pedido de patente
#3.1
04/09/2001
RPI 1600
Pedido de patente depositado
#2.1
17/04/2001
RPI 1580
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