ESTRUTURA SEMICONDUTORA E ESTRUTURA INTEGRADA SEMICONDUTORA

IPC Classification

Priority claims

Abstract

As modalidades da presente revelação fornecem uma estrutura semicondutora, que inclui: um substrato, em que o substrato é coberto por uma camada dielétrica, e a camada dielétrica inclui uma primeira região e uma segunda região que circunda a primeira região; um primeiro coxim condutor disposto na camada dielétrica da primeira região, em que uma superfície superior do primeiro coxim condutor tem uma parte rebaixada ou saliente, e a camada dielétrica cobre a superfície superior do primeiro coxim condutor; e um primeiro coxim de ligação disposto na camada dielétrica da segunda região, em que o primeiro coxim de ligação é disposto ao redor do primeiro coxim condutor, o primeiro coxim de ligação tem uma superfície superior exposta à camada dielétrica, e uma superfície inferior do primeiro coxim de ligação é mais alta do que a superfície superior do primeiro coxim condutor. A estrutura semicondutora fornecida nas modalidades da presente revelação tem a segunda região disposta em torno de uma periferia da primeira região, em que o primeiro coxim de ligação é disposto na segunda região, e o primeiro coxim de ligação pode efetivamente evitar o impacto de uma superfície saliente ou rebaixada da primeira região no rendimento do produto.