MÉTODO DE FABRICAÇÃO PARA UMA ESTRUTURA SEMICONDUTORA E ESTRUTURA SEMICONDUTORA

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

MÉTODO DE FABRICAÇÃO PARA UMA ESTRUTURA SEMICONDUTORA E ESTRUTURA SEMICONDUTORA. Trata-se de um método de fabricação e uma estrutura de uma estrutura semicondutora. O método de fabricação para a estrutura semicondutora compreende: fornecer um substrato; formar sequencialmente uma primeira camada semicondutora e uma segunda camada semicondutora que são empilhadas sobre o substrato, sendo que o material da primeira camada semicondutora é diferente do da segunda camada semicondutora; gravar a segunda camada semicondutora para formar colunas ativas dispostas em uma matriz em uma primeira direção e uma segunda direção, sendo que cada coluna ativa compreende uma primeira região dopada, uma região de canal e uma segunda região dopada que estão dispostas sequencialmente em uma direção da primeira camada semicondutora em direção à segunda camada semicondutora; formar uma estrutura de linha de palavra, em que a estrutura de linha de palavra envolve a região de canal, que se estende na primeira direção e está espaçada da região de canal na segunda direção; formar uma estrutura de capacitor, sendo que a estrutura de capacitor está em contato e conectada à segunda região dopada e remover o substrato e a primeira camada semicondutora de modo a expor superfícies inferiores das colunas ativas; e formar uma estrutura de linha de bits, em que a estrutura de linha de bits está em contato e conectada à primeira região dopada. A confiabilidade da estrutura semicondutora pode ser melhorada.