Patente de Invenção ESTRUTURA DE INTERCONEXÃO SEMICONDUTORA, MÉTODO DE FORMAÇÃO DA MESMA E ESTRUTURA DE ACONDICIONAMENTO SEMICONDUTORA — IPC H01L 21/768. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
ESTRUTURA DE INTERCONEXÃO SEMICONDUTORA, MÉTODO DE FORMAÇÃO DA MESMA E ESTRUTURA DE ACONDICIONAMENTO SEMICONDUTORA. Trata-se de uma estrutura de interconexão semicondutora que compreende: um substrato, dotado de uma primeira superfície e uma segunda superfície que são dispostas opostamente; uma pluralidade de pilares condutores independentes uns dos outros, os quais são dispostos no substrato, um dos pilares condutores se estendendo da primeira superfície até a segunda superfície, a primeira extremidade do dito pilar condutor sendo exposta a partir da primeira superfície, e a segunda extremidade do dito pilar condutor sendo exposta a partir da da segunda superfície; e um primeiro bloco de conexão condutor, o qual é disposto na primeira superfície do substrato, sendo que o primeiro bloco de conexão condutor compreende uma estrutura em malha, e a estrutura em malha compreende uma pluralidade de primeiros nós, cada um dos primeiros nós sendo conectado à primeira extremidade de um ou mais dos pilares condutores, ou a primeira extremidade de cada um dos pilares condutores sendo conectada a um ou mais dos primeiros nós, e as primeiras extremidades de todos os pilares condutores sendo interconectadas entre si através do primeiro bloco de conexão condutor. A estrutura de interconexão semicondutora fornecida pelas modalidades da presente revelação tem bom desempenho de dissipação de calor e propriedades mecânicas.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
