MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE REGIÃO EMISSORA DE CÉLULA SOLAR COM O USO DE IMPLANTAÇÃO DE ÍON

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

Trata-se de métodos de fabricação de regiões emissoras de célula solar com o uso de implantação de íon e das células solares resultantes. Em um exemplo, uma célula solar de contato posterior inclui um substrato de silício cristalino tendo uma superfície de recepção de luz e uma superfície posterior. Uma primeira região emissora de silício policristalino é disposta acima do substrato de silício cristalino. A primeira região emissora de silício cristalino é dopada com espécies de impurezas dopantes de um primeiro tipo de condutividade e inclui adicionalmente espécies de impureza auxiliares diferentes das espécies de impurezas dopantes do primeiro tipo de condutividade. Uma segunda região emissora de silício policristalino é disposta acima do substrato de silício cristalino e está em posição adjacente, porém separada, da primeira região emissora de silício policristalino. A segunda região emissora de silício policristalino é dopada com espécies de impurezas dopantes de um segundo tipo oposto de condutividade. A primeira e a segunda estruturas de contato condutivas são conectadas eletricamente à primeira e à segunda regiões emissoras de silício policristalino, respectivamente.