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Dado oficial do INPI

PASSIVAÇÃO DE SUPERFÍCIES DE RECEPÇÃO DE LUZ DE CÉLULAS SOLARES COM SILÍCIO CRISTALINO

IndeferidaPatente de InvençãoPCT · US2015037819

Dados do pedido

Número

112016025280

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

25/06/2015

Publicação

12/12/2017

PCT

US2015037819

Andamento no INPI

  1. Depósito25/06/15
  2. Publicação12/12/17
  3. Exame
  4. Indeferido26/05/26
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido indeferido em 26/05/2026 e o recurso não mudou a decisão. A invenção não chegou a patente e a tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 26/05/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

MAXEON SOLAR PTE. LTD.

SG

S. C. (pessoa física)

US

T. S. (pessoa física)

FR

Ver toda a carteira desta empresa

Inventores

D. S. (pessoa física)

US

K. T. (pessoa física)

US

M. J. (pessoa física)

US

P. J. (pessoa física)

US

P. T. (pessoa física)

PH

S. R. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Prioridades unionistas

US

14/317.672 · 27/06/2014

Resumo técnico

PASSIVAÇÃO DE SUPERFÍCIES DE RECEPÇÃO DE LUZ DE CÉLULAS SOLARES COM SILÍCIO CRISTALINO. A presente invenção refere-se a métodos de passivação de superfícies de recepção de luz de células solares com silício cristalino, e das células solares assim obtidas. Em um exemplo, uma célula solar inclui um substrato de silício que tem uma superfície de recepção de luz. Uma camada de silício intrínseco é disposta acima da superfície de recepção de luz do substrato de silício. Uma camada de silício de dopagem tipo N é disposta sobre a camada de silício intrínseco. Uma ou ambas dentre a camada de silício intrínseco e a camada de silício de dopagem tipo N é uma camada de silício microcristalino ou policristalino. Em um outro exemplo, uma célula solar inclui um substrato de silício que tem uma superfície de recepção de luz. Uma camada dielétrica de passivação é disposta sobre a superfície de recepção de luz do substrato de silício. Uma camada de silício microcristalino ou policristalino de dopagem tipo N é disposta sobre a camada dielétrica de passivação.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Indeferimento mantido em recurso

#9.2.4

MANTIDO O INDEFERIMENTO UMA VEZ QUE NÃO FOI APRESENTADO RECURSO DENTRO DO PRAZO LEGAL.MANTIDO O INDEFERIMENTO UMA VEZ QUE NÃO FOI APRESENTADO RECURSO DENTRO DO PRAZO LEGAL.

26/05/2026

RPI 2890

Transferência deferida

#25.1

04/07/2023

RPI 2739

Alteração de sede deferida

#25.7

27/06/2023

RPI 2738

Indeferimento

#9.2

14/06/2022

RPI 2684

Conhecimento de parecer técnico

#7.1

15/02/2022

RPI 2667

Adição na publicação

#15.35

17/08/2021

RPI 2641

Adição na publicação

#15.35

03/08/2021

RPI 2639

Exigência preliminar

#6.21

28/04/2020

RPI 2573

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

12/12/2017

RPI 2449

Alteração de dados cadastrais

#1.1

08/11/2016

RPI 2392

Monitoramento de patentes

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