Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 23/10/2014, observadas as condições legais
26/07/2022
RPI 2690
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Dado oficial do INPI
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, ELEMENTO DE EXIBIÇÃO, DISPOSITIVO DE EXIBIÇÃO DE IMAGEM, E SISTEMA
ConcedidaPatente de InvençãoPCT · JP2014078842 Documento oficial disponível
Dados do pedido
Número
112016009806Tipo
Patente de Invenção
Depósito
23/10/2014
Publicação
01/08/2017
PCT
JP2014078842 Carta-patente disponível
Temos o documento oficial completo deste processo, publicado pelo INPI.
Acessar documentoAndamento no INPI
- Depósito23/10/14
- Publicação01/08/17
- Exame
- Deferimento07/06/22
- Concessão26/07/22
- Em vigor23/10/34
Patente concedida em 26/07/2022 e em vigor até 23/10/2034. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:23/10/2034
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 26/07/2022. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
RICOH COMPANY, LTD.
JP
Inventores
N. U. (pessoa física)
JP
R. S. (pessoa física)
JP
S. A. (pessoa física)
JP
S. M. (pessoa física)
JP
Y. S. (pessoa física)
JP
Y. A. (pessoa física)
JP
Y. N. (pessoa física)
JP
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
JP
2013-225182 · 30/10/2013
JP
2014-164080 · 12/08/2014
Resumo técnico
TRANSISTOR DE EFEITO DECAMPO, ELEMENTO DE EXIBIÃÃO, DISPOSITIVO DE EXIBIÃÃO DE IMAGEM, E SISTEMA. Um transistor de efeito de campo, incluindo: uma base, uma camada de passivação; uma camada de isolamento de porta formada entre as mesmas; um eletrodo de fonte e um eletrodo de dreno, que são formados para estar em contato com a camada de isolamento de porta; uma camada de semicondutor, que é formada entre pelo menos o eletrodo de fonte e o eletrodo de dreno, e está em contato com a camada de isolamento de porta, o eletrodo de fonte e eletrodo de dreno; e um eletrodo de porta, que está em contato com a camada de isolamento de porta, e está voltado para a camada de semicondutor através da camada de isolamento de porta, em que a camada de passivação contém uma primeira camada de passivação, que contém um primeiro óxido de metal compósito contendo Si, e um metal alcalino terroso, e uma segunda camada de passivação, que é formada para estar em contato com a primeira camada de passivação, e contém um segundo óxido de metal compósito contendo um metal alcalino terroso e um elemento de terras raras.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Deferimento
#9.1
07/06/2022
RPI 2683
Exigência - art. 36 da LPI
#6.1
22/02/2022
RPI 2668
Exigência preliminar
#6.21
07/07/2020
RPI 2583
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
Publicação automática da admissibilidade da fase nacional depositado via PCT . Tratado de cooperação em matéria de Patentes, conforme Instrução Normativa nº 02, de 06/06/2017 publicada na RPI nº 2422, de 06/06/2017.
01/08/2017
RPI 2430
Alteração de dados cadastrais
#1.1
10/05/2016
RPI 2366
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