(11) 98705-3426
TrademarkIQ íconeTrademarkIQ
Voltar para busca
Dado oficial do INPI

UNIDADE DE DETECTOR DE RAIOS X DE CONTAGEM DE FÓTONS; DETECTOR DE RAIOS X DE CONTAGEM DE FÓTONS; E MÉTODO DE DETECÇÃO DE RAIOS X DE CONTAGEM DE FÓTONS

Arquivada/ExtintaPatente de InvençãoPCT · IB2013060267

Dados do pedido

Número

112015012775

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

20/11/2013

Publicação

11/07/2017

PCT

IB2013060267

Andamento no INPI

  1. Depósito20/11/13
  2. Publicação11/07/17
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

Falar com um especialista

Última movimentação publicada pelo INPI: 12/02/2019. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

NL

Ver toda a carteira desta empresa

Inventores

A. N. (pessoa física)

NL

F. V. (pessoa física)

NL

H. W. (pessoa física)

DE

J. K. (pessoa física)

NL

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

US

61/733,006 · 04/12/2012

Resumo técnico

RESUMO UNIDADE DE DETECTOR DE RAIOS X DE CONTAGEM DE FÓTONS; DETECTOR DE RAIOS X DE CONTAGEM DE FÓTONS; E MÉTODO DE DETECÇÃO DE RAIOS X DE CONTAGEM DE FÓTONS A presente invenção refere-se a um detector de raios X de contagem de fótons e a um método de detecção que efetivamente suprime a polarização mesmo sob condições de alto fluxo. O detector proposto compreende um elemento semicondutor de contagem de fótons (10) para gerar pares de elétron-buraco em resposta a fótons de raios X incidentes, um eletrodo catódico (11a, 11b; 21a, 21b; 31a, 31b, 31c, 31ac, 31d; 41a, 41b; 51a, 51b) disposto em um primeiro lado (10a) do dito elemento semicondutor (10) voltado para a radiação de raios X incitada, sendo que o dito eletrodo catódico compreende dois elementos catódicos interpenetrados (11a, 11b; 21a, 21b; 31a, 31b, 31c, 31ac, 31d; 41a, 41b; 51a, 51b), um eletrodo anódico pixelado (12) disposto em um segundo lado (10b) do dito elemento semicondutor (10) oposto ao dito primeiro lado (10a), uma fonte de energia (13) para aplicar uma tensão de polarização entre o dito eletrodo catódico e o dito eletrodo anódico e para aplicar temporariamente uma tensão de injeção entre os ditos elementos catódicos (11a, 11b; 21a, 21b; 31a, 31b, 31c, 31ac, 31d; 41a, 41b; 51a, 51b), e uma unidade de leitura (14) para ler sinais elétricos a partir do dito eletrodo anódico pixelado (12).1/1

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo por descumprimento

#8.11

Em virtude do arquivamento publicado na RPI 2494 de 23-10-2018 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantido o arquivamento do pedido de patente, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.

12/02/2019

RPI 2510

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente à 5ª anuidade.

23/10/2018

RPI 2494

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

Publicação automática da admissibilidade da fase nacional depositado via PCT . Tratado de cooperação em matéria de Patentes, conforme Instrução Normativa nº 02, de 06/06/2017 publicada na RPI nº 2422, de 06/06/2017.

11/07/2017

RPI 2427

Alteração de dados cadastrais

#1.1

16/06/2015

RPI 2319

Relacionados

Do mesmo titular

Da mesma categoria

Monitoramento de patentes

Acompanhe esta patente em tempo real.

Receba alertas de despachos, decisões e vencimentos do INPI para o seu portfólio.