DISPOSITIVO FERROELÉTRICO DE GRAFENO E CONTROLE OPTO-ELETRÔNICO DE DISPOSITIVO DE MEMÓRIA FERROELÉTRICO DE GRAFENO

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

ABSTRACT OF THE DISCLOSURE In accordance with an embodiment of the invention, there is provided a graphene ferroelectric device. The device comprises a graphene transistor channel and a ferroelectric gate of the graphene transistor channel, the ferroelectric gate comprising a linear polarization at a first applied gate voltage less than a threshold voltage, and a hysteretic polarization at a second applied gate voltage greater than the threshold voltage. The device may be configured to undergo optical switching of the graphene transistor channel between a high resistance state and a low resistance state in response to photoillumination of the device. TRADUÇÃO DO RESUMORESUMOPatente de Invenção: "DISPOSITIVO FERROELÉTRICO DE GRAFENO E CONTROLE OPTO-ELETRÔNICO DE DISPOSITIVO DE MEMÓRIA FERROELÉTRICO DE GRAFENO". Em conformidade com uma forma de realização da invenção, é fornecido um dispositivo ferroelétrico de grafeno. O dispositivo é caracterizado pelo fato de que compreende um canal de transístor de grafeno e uma porta ferroelétrica de canal de transístor de grafeno, sendo a porta ferroelétrica caracterizada pelo fato de que compreende uma polarização linear em uma tensão de porta aplicada pela primeira vez menor do que uma tensão limite, e uma polarização histerética em uma tensão de porta aplicada pela segunda vez maior do que tensão limite. O dispositivo ferroelétrico pode ser configurado para passar por comutação óptica do canal de transístor de grafeno entre um estado de alta resistência e um estado de baixa resistência em resposta à fotoiluminação do dispositivo.