Concessão da patente
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 25/05/2011, observadas as condições legais
05/05/2020
RPI 2574
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Dado oficial do INPI
DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ E MÉTODO PARA FABRICAR DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ
ConcedidaPatente de InvençãoPCT · JP2011061979 Documento oficial disponível
Dados do pedido
Número
112012030470Tipo
Patente de Invenção
Depósito
25/05/2011
Publicação
09/08/2016
PCT
JP2011061979 Carta-patente disponível
Temos o documento oficial completo deste processo, publicado pelo INPI.
Acessar documentoAndamento no INPI
- Depósito25/05/11
- Publicação09/08/16
- Exame
- Deferimento03/03/20
- Concessão05/05/20
- Em vigor25/05/31
Patente concedida em 05/05/2020 e em vigor até 25/05/2031. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:25/05/2031
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 05/05/2020. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
N. C. (pessoa física)
JP
Inventores
M. I. (pessoa física)
JP
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
JP
2010-123757 · 31/05/2010
Resumo técnico
DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ E MÉTODO PARA FABRICAR DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ. A presente invenção refere-se a um dispositivo emissor de luz, capaz de reduzir a atenuação de luz dentro do elemento, e tendo uma alta eficiência de extração de luz, e um método para fabricar um dispositivo eficiência de extração de luz, e um método para fabricar um dispositivo emissor de luz. O dispositivo emissor de luz tem um elemento emissor de luz com membro transmissivo de luz e porção de camada empilhada de semicondutor, nesta ordem. O elemento emissor de luz tem uma primeira região e uma segunda região a partir do lado do membro transmissivo de luz. O membro transmissivo de luz tem uma terceira região e uma quarta região a partir do lado do elemento emissor de luz. A primeira região tem um arranjo atômico irregular em comparação com a segunda região. A terceira região tem um arranjo atômico irrregular em comparação com a quarta região. A primeira região e a terceira região são diretamente unidas.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Deferimento
#9.1
03/03/2020
RPI 2565
Exigência preliminar
#6.21
24/09/2019
RPI 2542
Notificação de acesso ao patrimônio genético
#6.6.1
26/12/2018
RPI 2503
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
09/08/2016
RPI 2379
Alteração de dados cadastrais
#1.1
31/12/2013
RPI 2243
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