Concessão da patente
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 23/03/2011, observadas as condições legais
10/11/2020
RPI 2601
Dados do pedido
Número
112012024203Tipo
Depósito
Publicação
PCT
JP2011056976 Carta-patente disponível
Temos o documento oficial completo deste processo, publicado pelo INPI.
Acessar documentoPatente concedida em 10/11/2020 e em vigor até 23/03/2031. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:23/03/2031
Última movimentação publicada pelo INPI: 10/11/2020. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
N. C. (pessoa física)
JP
Inventores
N. M. (pessoa física)
JP
Classificação IPC
Prioridades unionistas
JP
2010-066737 · 23/03/2010
Resumo técnico
LEMENTO DE EMISSÃO DE LUZ SEMICONDUTOR DE NITRETO. Um objetivo da presente invenção é prover um elemento emissor de luz semicondutor de nitrato tendo um novo eletrodo transparente. O elemento emissor de luz semicondutor de nitreto tem o eletrodo transparente em uma camada semicondutora de nitreto do tipo p-, em que a camada semicondutora de nitreto do tipo p- e o eletrodo transparente podem estar em bom contato ôhmico um com o outro, e em que a variabilidade da voltagem anterior (VF) dentro do disco de papel pode ser reduzida. A presente invenção é um elemento emissor de luz semicondutor de niterto incluindo: uma camada semicondutora de nitreto de lado n-; uma camada semicondutora de nitreto de lado p-; e um eletrodo transparente formado na camada semicondutora de nitreto de lado p-, em que o eletrodo transparente é feito de óxido de índio contendo Ge e Si.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 23/03/2011, observadas as condições legais
10/11/2020
RPI 2601
#9.1
26/05/2020
RPI 2577
#6.21
24/09/2019
RPI 2542
#6.6.1
08/01/2019
RPI 2505
#1.3
05/07/2016
RPI 2374
#1.1
25/06/2013
RPI 2216
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