Concessão da patente
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 04/02/2011, observadas as condições legais
20/10/2020
RPI 2598
Dados do pedido
Número
112012021243Tipo
Depósito
Publicação
PCT
JP2011052358 Carta-patente disponível
Temos o documento oficial completo deste processo, publicado pelo INPI.
Acessar documentoPatente concedida em 20/10/2020 e em vigor até 04/02/2031. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:04/02/2031
Última movimentação publicada pelo INPI: 20/10/2020. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
N. C. (pessoa física)
JP
Inventores
A. Y. (pessoa física)
JP
H. K. (pessoa física)
JP
H. D. (pessoa física)
JP
Classificação IPC
Prioridades unionistas
JP
2010-041314 · 26/02/2010
Resumo técnico
ELEMNTO DE EMISSÃO DE LUZ SEMICONDUTOR DE NITRETO E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DO MESMO. A presente invenção refere-se a um elemento de emissão de luz semicondutor de nitrato que possui um laminado de uma camada semicondutora de primeiro tipo de condução, uma camada de emissão de luz, e uma camada semicondutora de segundo tipo de condução de um tipo de condução diferente do da camada semicondutora de primeiro tipo de condução, e eletrodos com uma estrutura de laminado formada na ca,mada semicondutora de primeiro tipo de condução, os eletrodos incluindo uma região condutora de uma primeira camada que possui a região condutora e uma região isolada.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 04/02/2011, observadas as condições legais
20/10/2020
RPI 2598
#9.1
26/05/2020
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#6.21
24/09/2019
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#6.6.1
08/01/2019
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#1.3
03/04/2018
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#1.1
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