Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 15/12/2017, observadas as condições legais
12/12/2023
RPI 2762
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Dado oficial do INPI
MÉTODO PARA FABRICAR UMA PLURALIDADE DE ELEMENTOS EMISSORES DE LUZ, E, ELEMENTO EMISSOR DE LUZ
ConcedidaPatente de Invenção
Dados do pedido
Número
102017027106Tipo
Patente de Invenção
Depósito
15/12/2017
Publicação
17/07/2018
Andamento no INPI
- Depósito15/12/17
- Publicação17/07/18
- Exame
- Deferimento07/11/23
- Concessão12/12/23
- Em vigor15/12/37
Patente concedida em 12/12/2023 e em vigor até 15/12/2037. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:15/12/2037
Última movimentação publicada pelo INPI: 12/12/2023. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
N. C. (pessoa física)
JP
Inventores
J. N. (pessoa física)
JP
K. N. (pessoa física)
JP
S. K. (pessoa física)
JP
Y. I. (pessoa física)
JP
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
JP
2016-243899 · 16/12/2016
JP
2017-171833 · 07/09/2017
Resumo técnico
MÉTODO PARA FABRICAR UMA PLURALIDADE DE ELEMENTOS EMISSORES DE LUZ, E, ELEMENTO EMISSOR DE LUZ. Um método para fabricar uma pluralidade de elementos emissores de luz inclui: prover uma pastilha semicondutora compreendendo: um substrato, uma camada semicondutora de nitreto de lado n contendo uma impureza tipo n e localizada no substrato, e uma camada semicondutora de nitreto de lado p contendo uma impureza tipo p e localizada na camada semicondutora de nitreto de lado n; formar uma camada protetora em uma face superior da camada semicondutora de nitreto de lado p em regiões que incluem limites de áreas para se tornarem a pluralidade de elementos emissores de luz; reduzir uma resistência do semicondutor de nitreto de lado p em áreas onde nenhuma camada protetora foi formada recozendo a pastilha semicondutora; irradiar um feixe de laser no substrato de modo a formar regiões modificadas no substrato; e obter uma pluralidade de elementos emissores de luz dividindo a pastilha semicondutora na qual as regiões modificadas foram formadas no substrato.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Deferimento
#9.1
07/11/2023
RPI 2757
Exigência - art. 36 da LPI
#6.1
11/07/2023
RPI 2740
Parecer de pré-exame
#6.23
07/02/2023
RPI 2718
Publicação do pedido de patente
#3.1
17/07/2018
RPI 2480
Pedido de patente depositado
#2.1
10/04/2018
RPI 2466
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo '870170098225' em 15/12/2017 09:50 (WB)
02/01/2018
RPI 2452
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