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Dado oficial do INPI

SISTEMA PARA DOPAGEM POR DIFUSÃO DE CAMADAS SEMICONDUTORAS NA SUPERFÍCIE DE LÂMINAS SEMICONDUTORAS FLUTUANTES A PARTIR DA VOLATILIZAÇÃO AUTORREGULADA DE COMPONENTES SEMICONDUTORES DA FONTE DE DOPAGEM

ConcedidaPatente de InvençãoDocumento oficial disponível

Dados do pedido

Número

102014018197

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

24/07/2014

Publicação

19/12/2017

Carta-patente disponível

Temos o documento oficial completo deste processo, publicado pelo INPI.

Acessar documento

Andamento no INPI

  1. Depósito24/07/14
  2. Publicação19/12/17
  3. Exame
  4. Deferimento13/10/20
  5. Concessão08/12/20
  6. Em vigor24/07/34

Patente concedida em 08/12/2020 e em vigor até 24/07/2034. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:24/07/2034

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Última movimentação publicada pelo INPI: 08/12/2020. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

INSTITUTO DE AERONÁUTICA E ESPAÇO - IAE

SP, BR

Ver toda a carteira desta empresa

Inventores

S. G. (pessoa física)

BR

Dados técnicos

Classificação IPC

Resumo técnico

"Sistema para dopagem por difusão de camadas semi condutoras na superfície de lâminas semicondutoras flutuantes a partir da volatilização autorregulada de componentes semicondutores da fonte de dopagem" se refere a um sistema para dopagern baseado em difusão para obtenção de camadas sermicondutoras, dopadas positivamente ( p) ou negativamente ( N) , sobre lâminas sernicondutoras flutuantes a partir da volatilização autorregulada dos componentes da fonte de dopagem. A presente invenção trata do processo de funcionamento do dito sistema. O principal diferencial da invenção é o fato da lâmina semi condutora flutuar, durante o processo de funcionamento do sistema, evitando assim pontos de contato e inserção de defeitos estruturais. Urna outra característica relevante é a do sistema propiciar urna ampla flexibilidade em efetivamente controlar e realizar variações de todos os parâmetros envolvidos no processo, principalmente o controle da espessura da camada p ou N difundida, por meio do controle da temperatura e do tempo de difusão, e da dimensão da lâmina sernicondutora flutuante, que depende somente da dimensão do reator, que é onde a difusão ocorre.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Concessão da patente

#16.1

20 (vinte) anos contados a partir de 24/07/2014, observadas as condições legais

08/12/2020

RPI 2605

Deferimento

#9.1

13/10/2020

RPI 2597

Notificação de acesso ao patrimônio genético

#6.6.1

06/11/2018

RPI 2496

Publicação do pedido de patente

#3.1

19/12/2017

RPI 2450

Pedido de patente depositado

#2.1

28/11/2017

RPI 2447

Requerimento de pedido de patente

#2.10

Número de Protocolo 18140013854 em 24/07/2014 11:55(SP).

23/09/2014

RPI 2281

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