Concessão da patente
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 24/07/2014, observadas as condições legais
12/08/2020
RPI 2605
Application data
Number
102014018197Type
Filing
Publication
Applicants
INSTITUTO DE AERONÁUTICA E ESPAÇO - IAE
SP, BR
Inventors
S. G. (pessoa física)
BR
IPC Classification
Abstract
"Sistema para dopagem por difusão de camadas semi condutoras na superfície de lâminas semicondutoras flutuantes a partir da volatilização autorregulada de componentes semicondutores da fonte de dopagem" se refere a um sistema para dopagern baseado em difusão para obtenção de camadas sermicondutoras, dopadas positivamente ( p) ou negativamente ( N) , sobre lâminas sernicondutoras flutuantes a partir da volatilização autorregulada dos componentes da fonte de dopagem. A presente invenção trata do processo de funcionamento do dito sistema. O principal diferencial da invenção é o fato da lâmina semi condutora flutuar, durante o processo de funcionamento do sistema, evitando assim pontos de contato e inserção de defeitos estruturais. Urna outra característica relevante é a do sistema propiciar urna ampla flexibilidade em efetivamente controlar e realizar variações de todos os parâmetros envolvidos no processo, principalmente o controle da espessura da camada p ou N difundida, por meio do controle da temperatura e do tempo de difusão, e da dimensão da lâmina sernicondutora flutuante, que depende somente da dimensão do reator, que é onde a difusão ocorre.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 24/07/2014, observadas as condições legais
12/08/2020
RPI 2605
#9.1
10/13/2020
RPI 2597
#6.6.1
11/06/2018
RPI 2496
#3.1
12/19/2017
RPI 2450
#2.1
11/28/2017
RPI 2447
#2.10
Número de Protocolo 18140013854 em 24/07/2014 11:55(SP).
09/23/2014
RPI 2281
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