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Dado oficial do INPI

DEPOSIÇÃO DE VAPOR DE REVESTIMENTO DE IMERSÃO DE PLASMA DE ARCO DE BAIXA PRESSÃO E TRATAMENTO DE ÍONS.

ArquivadaPatente de Invenção

Dados do pedido

Patente de Invenção DEPOSIÇÃO DE VAPOR DE REVESTIMENTO DE IMERSÃO DE PLASMA DE ARCO DE BAIXA PRESSÃO E TRATAMENTO DE ÍONS. de VAPOR TECHNOLOGIES INC. — IPC C23C 14/35
Patente de Invenção DEPOSIÇÃO DE VAPOR DE REVESTIMENTO DE IMERSÃO DE PLASMA DE ARCO DE BAIXA PRESSÃO E TRATAMENTO DE ÍONS. de VAPOR TECHNOLOGIES INC. — IPC C23C 14/35. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.

Número

102014006170

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

14/03/2014

Publicação

28/11/2017

Andamento no INPI

  1. Depósito14/03/14
  2. Publicação28/11/17
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 14/03/2014, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 03/04/2018. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

VAPOR TECHNOLOGIES INC.

US

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Inventores

D. H. (pessoa física)

US

E. T. (pessoa física)

US

V. G. (pessoa física)

US

W. G. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

US

13/840,305 · 15/03/2013

Resumo técnico

DEPOSIÇÃO DE VAPOR DE REVESTIMENTO DE IMERSÃO DE PLASMA DE ARCO DE BAIXA PRESSÃO E TRATAMENTO DE ÍONS Um sistema de revestimento inclui uma câmara de vácuo e um conjunto de revestimento. O conjunto de revestimento inclui uma fonte de vapor, um suporte de substrato, um ânodo remoto acoplado eletricamente ao alvo de cátodo, e um conjunto de câmara de cátodo. O conjunto de câmara de cátodo inclui um alvo de cátodo, um ânodo primário opcional e uma blindagem que isola o alvo de cátodo a partir da câmara de vácuo. A blindagem define uma abertura para transmissão de uma corrente de emissão de elétron de uma descarga de arco remoto a partir do alvo de , cátodo para o ânodo remoto que flui ao longo da dimensão longa face de alvo. Uma fonte de alimentação primária é conectada entre o alvo de cátodo e o ânodo primário enquanto uma fonte de alimentação secundária é conectada entre o alvo de cátodo e o ânodo remoto. Caracteristicamente, uma dimensão de ânodo remoto linear e uma dimensão curta de fonte de vapor são paralelas a uma dimensão em que o ponto de arco é dirigido ao longo do alvo de cátodo.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI

#11.1.1

03/04/2018

RPI 2465

Arquivamento - Art. 33 da LPI

#11.1

23/01/2018

RPI 2455

Publicação do pedido de patente

#3.1

28/11/2017

RPI 2447

Pedido de patente depositado

#2.1

07/11/2017

RPI 2444

Exigência - art. 21 da LPI

#2.5

24/06/2014

RPI 2268

Requerimento de pedido de patente

#2.10

Número de Protocolo 20140010963 em 14/03/2014 04:50(RJ).

15/04/2014

RPI 2258

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