MÉTODO E APARELHO PARA A ATIVAÇÃO DE IMPUREZAS DE SEMICONDUTOR

IPC Classification

Abstract

Patente de Invenção: "MÉTODO E APARELHO PARA A ATIVAÇÃO DE IMPUREZAS DE SEMICONDUTOR" . Um substrato de SiC 1 dopado com impureza e um filme fino de SiC 2 são irradiados com uma luz laser 5 que tem um comprimento de onda maior do que uma comprimento de onda tal que uma absorção de borda de banda de um semicondutor seja causada. O comprimento de onda da luz laser 5 pode ser um comprimento de onda tal que uma absorção seja causada por uma vibração pela ligação de um elemento de impureza e de um elemento constituinte do semicondutor, por exemplo, um comprimento de onda de 9 µm a 11 µm. Especificamente, no caso em que o AI é dopado no SiC, o comprimento de onda da luz laser 5 pode estar na faixa de 9,5 µm a 10 µm.