SUBSTRATO DE CARBURETO DE SILÍCO E MÉTODO PARA A PRODUÇÃO DO SUBSTRATO, E DISPOSITIVO SEMICONDUTOR UTILIZAND O SUBSTRATO.

IPC Classification

Priority claims

Abstract

Patente de Invenção: "SUBSTRATO DE CARBURETO DE SILÍCIO E MÉTODO PARA A PRODUÇÃO DO SUBSTRATO, E DISPOSITIVO SEMI-CONDUTOR UTILIZANDO O SUBSTRATO". Uma película fina de carbureto de silício é epitaxialmetne desenvolvida por um método MBE ou semelhante com átomos de silicio 2 sendo mantidos para ficarem a mais do que os átomos de carbono em uma superfície de crescimento 1a de um cristal de carboreto de silício em um substrato 1. Um substrato de carbureto de silício com uma boa cristalidade é dessa forma obtido em uma baixa temperatura com uma boa reprodutibilidade. Essa crescimento do cristal é possível em uma baixa temperatura de 1300°C ou menor, e as produções de uma película dopada em alta concentração, uma película seletivamente desenvolvida, e uma pelicula desenvolvida de um carbureto de silício cúbico em um cristal hexagonal são obtidas. Na cristalização de um carbureto de silício cúbico em um cristal hexagonal, o uso de uma superfície fora de corte inclinada para uma direção é eficaz para evitar a ocorrência de gêmeos.