PROCESSO DE PRODUÇÃO DE PARAXILENO QUE INCLUI UMA CRISTALIZAÇÃO EM ALTA TEMPERATURA EM PELO MENOS UM ESTÁGIO E UMA FUSÃO PARCIAL DOS CRISTAIS

IPC Classification

Priority claims

Abstract

Patente de Invenção "PROCESSO DE PRODUÇÃO DE PARAXILENO QUE INCLUI UMA CRISTALIZAÇÃO EM ALTA TEMPERATURA EM PELO MENOS UM ESTÁGIO E UMA FUSÃO DOS CRISTAIS" . Descreve-se um processo de produção de paraxileno a partir de uma carga que contém xilenos no qual enriquece -se uma primeira fração com pelo menos 30% de peso em paraxileno e purifica-se essa fração através de pelo menos uma cristalização em alta temperatura em pelo menos uma zona de cristalização. Mais precisamente, cristaliza-se a dita primeira fração enriquecida com pelo menos 30% de peso em paraxileno em uma zona de cristalização (50) em alta temperatura T1 e vantajosamente entre + 10 e -25°C, recupera-se cristais em suspensão em um licor-mãe, separa-se os cristais do licor-mãe em pelo menos uma zona de separação (52), funde-se parcialmente os cristais obtidos em pelo menos uma zona (55) de fusão parcial e recupera-se uma suspensão de cristais, separa-se e lava-se os cristais em suspensão em pelo menos uma zona (57) separação e de lavagem e recupera-se cristais de paraxileno puro e um licor de lavagem (58), e eventualmente funde-se (61) completemente os ditos cristais puros e recolhe-se uma corrente (60) líquida de paraxileno fundido. É possível cristalizar o licor-mãe em uma segunda zona de cristalização em alta temperatura T2 inferior a T1 e os segundos cristais podem ser fundidos parcialmente, separados e lavados como indicado acima.