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Official data from INPI

PROCESSO PARA A PRODUÇÃO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA.

IndeferidaInvention PatentPCT · JP1995001407

Application data

Number

PI9510622

Type

Invention Patent

Filing

07/14/1995

Publication

01/12/1999

PCT

JP1995001407

Progress at the INPI

Under appeal
  1. Filing07/14/95
  2. Publication01/12/99
  3. Examination
  4. Refused03/30/04
  5. Grant
  6. In force

The application was refused by the INPI on 03/30/2004. The invention was never patented.

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Latest action published by the INPI: 03/30/2004. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

S. C. (pessoa física)

JP

S. K. (pessoa física)

JP

Inventors

H. S. (pessoa física)

JP

H. F. (pessoa física)

JP

J. Z. (pessoa física)

JP

K. I. (pessoa física)

JP

R. O. (pessoa física)

JP

Technical data

IPC Classification

Abstract

PROCESSO PARA A PRODUÇÃO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA. A invenção fornece um processo para a produção de silício de alta pureza de graduação solar a um baixo custo para fornecimento de silício de graduação solar barato. O processo compreende as etapas de: (a) misturar o silício cru com silicato de cálcio a uma temperatura de pelo menos 1544°C para o preparo de uma mistura de fusão e fazer com que o boro no silício emigre para o interior da escória de silicato de cálcio, (b) deixar com que a mistura resultante da etapa (a) permaneça em uma atmosfera de gás inerte para separar a mistura em uma camada inferior de escória e uma camada superior de silício fundido e posteriormente manter o silício em um estado de fusão enquanto solidificando a escória a uma temperatura de 1410 até 1544°C, (c) imergir um corpo de resfriamento 2 no silício fundido obtido pela etapa (b) para fazer com que o silício altamente purificado cristalize-se fora e deposite-se em uma superfície externa do corpo de resfriamento em uma atmosfera de gás inerte, retirando posteriormente o corpo de resfriamento 2 a partir do silício fundido e removendo um bloco S de silício de alta pureza, cristalizando-se fora do corpo de resfriamento 2, e (d) fundindo o silício de alta pureza obtido pela etapa (c) novamente, e tratando posteriormente o silício fundido resultante em um vácuo para evaporar o fósforo a fósforo a partir do silício de alta pureza para desfosforização.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Indeferimento

#9.2

Indeferido o presente pedido com base no Art. 8 combinado com o Art. 37 da Lei 9279 da LPI.

03/30/2004

RPI 1734

Transferência deferida

#25.1

Transferido de: Showa Aluminum Corporation

02/25/2004

RPI 1729

Conhecimento de parecer técnico

#7.1

09/25/2001

RPI 1603

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

01/12/1999

RPI 1462

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