PROCESSO DE PRODUZIR UMA PELÍCULA DE UM SEMICONDUTOR DE COMPOSTO DO GRUPO II-VI DOPADO COM NITROGÊNIO

IPC Classification

Priority claims

Abstract

Patente de Invenção "PROCESSO DE PRODUZIR PELÍCULA DE UM SEMICONDUTOR DE UM COMPOSTO DO GRUPO II-VI DOPADO COM NITROGÊNIO." Uma película de um semicondutor de um composto o grupo II-VI de pelo menos um de elementos pertencentes ao grupo II da tabela periódica e pelo menos um de elementos pertencentes ao grupo IV da tabela periódica é depositada sobre um substrato. Quando o filme é depositado sobre o substrato, uma plasma de nitrogênio em um estado excitado é aplicado ao substrato enquanto removendo as partículas carregadas do dito plasma por um dipositivo removedor de partículas carregadas. A película depositada de um semicondutor de um composto do grupo II-VI dopado com nitrogênio tem uma porcentagem aumentada de átomos de nitrogênio ativados e cristalinidade aperfeiçoada.