ESTRUTURA SEMICONDUTORA LATERAL PARA A CONFIGURAÇÃO DE UMA LIMITAÇÃO DE TENSÃO COMPENSADA PELA TEMPERATURA

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Abstract

Patente de Invenção: "ESTRUTURA SEMICONDUTORA LATERAL PARA A CONFIGURAÇÃO DE UMA LIMITAÇÃO DE TENSÃO COMPENSADA PELA TEMPERATURA". Segundo a invenção, propõe-se uma estrutura semicondutora lateral com um diodo "punchthrough" para a formação de uma limitação de tensão compensada pela temperatura na qual, por uma disposição lateral de áreas preferivelmente anelares em volta de uma tina base, é reduzida a resistência de carga espacial. Isto se consegue pelo fato de que as áreas preferivelmente anelares são dispostas com uma determinada dotação assim como com uma determinada distância em relação à tina base. Utilizando o efeito "punchthrough" e de avalancha obtém-se uma tensão de ruptura mais elevada já que a resitência de carga espacial é reduzida em função da disposição selecionada.