DISPOSITIVO SEMICONDUTOR QUE INCLUI UMA ESTRUTURA DE ISOLAMENTO, MÉTODO DE FORMAÇÃO DE UM DISPOSITIVO DE CIRCUITO INTEGRADO E MÉTODO DE FORMAÇÃO DE UMA ESTRUTURA SEMICONDUTORA

IPC Classification

Priority claims

Abstract

Forma-se uma estrutura de isolamento de sulco raso por um processo que apresenta um reduzido número de etapas e um reduzido orçamento térmico pelo enchimento de sulcos mediante deposição em fase líquida de um óxido isolante de semicondutor e pelo tratamento térmico do depósito para a formação de uma camada de óxido térmico de alta qualidade em uma interface entre o óxido depositado e o corpo de material semicondutor (por exemplo, o substrato) para dentro do qual se estende o sulco. Este processo produz uma estrutura de isolamento com tensão reduzida e reduzida tendência a desenvolver vazamento de cargas. A estrutura pode ser pronta e facilmente planarizada, particularmente se for aplicada uma camada de parada de polimento sobre o corpo de material semicondutor, sendo que lacunas e contaminação do óxido depositado são substancialmente eliminadas por deposição auto-alinhada acima do sulco no volume de orifícios em um revestimento fotoprotetor utilizado na formação do sulco.