MÉTODOS PARA DIMINUIR A TEMPERATURA DE TRANSFORMAÇÃO DE FASE DE UM SILICIETO METÁLICO

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Abstract

A temperatura de transformação de fase de uma camada de silicieto metálico formado em sobreposição a uma camada de silício sobre uma lâmina fina semicondutora é diminuída. Em primeiro lugar, um metal refratário é disposto próximo à superfície da camada de silício, um metal precursor é depositado em uma camada sobreposta ao metal refratário, e a lâmina fina é aquecida a uma temperatura suficiente para formar o silicieto metálico a partir do metal precursor. O metal precursor pode ser um metal refratário, e preferivelmente é titânio, tungstênio ou cobalto. A concentração do metal refratário na superfície da camada de silício é preferivelmente menor que cerca de 10^ 17^ átomos/cm^ 3^. O metal refratário pode ser Mo, Co, W, Ta, Nb, Ru ou Cr, e mais preferivelmente é Mo ou Co. A etapa de aquecimento usada para formar o silicieto é executada a uma temperatura inferior a cerca de 700°C, e mais preferivelmente entre cerca de 600 a 700°C. Opcionalmente a lâmina fina é recozida em seguida à etapa de dispor o metal refratário e antes da etapa de depositar a camada de metal precursor. De preferência, essa etapa de recozimento é executada a uma temperatura de lâmina fina de pelo menos cerca de 900°C.