Arquivamento - Art. 38 §2° da LPI
#11.4
Arquivamento - Art. 38 § 2º da LPI
11/14/2000
RPI 1558
Application data
Number
PI9305730Type
Filing
Publication
PCT
US1993000231 The application was allowed on 09/08/1999 but abandoned for failure to pay the grant fee (art. 38 of the Brazilian IP Act). The letters patent were never issued.
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Applicants
Photon Energy, Inc.
US
Inventors
J. J. (pessoa física)
US
R. C. (pessoa física)
US
S. A. (pessoa física)
US
IPC Classification
Priority claims
US
07/819.882 · 01/13/1992
Abstract
"CÉLULA FOTO-VOLTÁICA COM CAMADA DELGADA DE CdS". O painel foto-voltáico de acordo a presente invenção é formado inicialmente com uma camda de CdS substancialmente espessa, sendo a espessura efetiva da camada de CdS substancialmente reduzida durante um processo de recozimento em duas etapas para formar cristais de CdTe de maior diâmetro e reduzir substancialmente a espessura efetiva da camada de CdS por difusão na camada de CdTe de tal forma que uma maior parte da luz solar tendo um comprimento de onda menor que 520 nm passa através da camada de CdS para a junção foto-voltáica. O material do tipo p é inicialmente tratado termicamente em um ambiente oxidante para oxidar impurezas e dessa forma aumentar substancialmente as propriedades elétricas desejadas do material do tipo p. O material termicamente tratado é a seguir recozido em um ambiente substancialmente inerte para aumentar o tamanho dos cristais e dessa forma aumentar a eficiência foto-voltáica. Durante a etapa de tratamento térmico, um gradiente de oxidação pode ser mantido através da espessura da camada do tipo p. O curto circuito de células individuais é sustancialmente minimizado provendo-se uma camada condutora que é formada a partir de duas camadas de óxido de estanho, cada uma tendo condutividade elétrica substancialmente desiguais, de tal forma que uma camada de óxido de estanho eletricamente condutora interconecte a pluralidade de células foto-voltáicas. A densidade de elétrons da camada de óxido de estanho de baixa condutividade pode ser ajustada em função da densidade presumida de elétrons da camada de CdTe, de tal forma que uma junção produtora de energia é formada em qualquer área de falhas na camada de CdS pela camada de CdTe e a camada de óxido de estanho.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#11.4
Arquivamento - Art. 38 § 2º da LPI
11/14/2000
RPI 1558
#9.1
09/08/1999
RPI 1496
#4.1
02/18/1997
RPI 1368
#1.3
01/28/1997
RPI 1365
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