Concessão da patente
#16.1
10/24/1989
RPI 992
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Official data from INPI
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO SELETIVO A ÍON (ISFET), PROCESSO PARA PROPORCIONAR CONTATO ELÉTRICO A UMA REGIÃO DE FONTE E REGIÃO DE DRENO DE UM ISFET, SONDA DE ISFET, E SENSOR DE PH DE ISFET.
ConcedidaInvention Patent
Application data
Number
PI8406314Type
Invention Patent
Filing
12/10/1984
Publication
10/08/1985
Progress at the INPI
- Filing12/10/84
- Publication10/08/85
- Examination06/17/86
- Allowance06/28/88
- Grant10/24/89
- Expired07/08/08
The letters patent expired on 07/08/2008: the term of protection has ended. The technology is in the public domain and may be freely used in Brazil.
Talk to a specialistLatest action published by the INPI: 10/24/1989. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants and inventors
Applicants
G. C. (pessoa física)
US
Honeywell Inc.
US
Inventors
R. B. (pessoa física)
US
Technical data
IPC Classification
Priority claims
US
559.513 · 12/08/1983
Prosecution history
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
Notificação para pagamento de retribuição
#13.1
10/25/1988
RPI 940
Deferimento
#9.1
06/28/1988
RPI 923
Solicitação de exame técnico
#4.1
06/17/1986
RPI 817
Publicação do pedido de patente
#3.1
10/08/1985
RPI 781
Pedido de patente depositado
#2.1
02/26/1985
RPI 749
Republicação - classificação IPC
#15.11
Procedimento automático de reclassificação. As classificações IPC anteriores eram: H01L 29/76; G01N 27/56.
03/27/2018
RPI 2464
Carta-patente expirada
#21.1
Patente extinta em 10/12/99
07/08/2008
RPI 1957
Transferência deferida
#25.1
Transferido de: General Signal Corporation
11/10/1998
RPI 1453
131
01/15/1991
RPI 1050
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