DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DO MESMO

IPC Classification

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Abstract

DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E MÉTODO DE FABRICAÇÃO DO MESMO. A presente invenção refere-se a dispositivo semicondutor que compreende um chip semicondutor (1) que compreende terminais de ajuste de modo (15d, 15e, 15f) e linhas de fiação de ajuste de modo (20d, 20e, 20f) respectivamente conectadas aos terminais de ajuste de modo (1 5d, 1 5e,15f), a camada de vedação (43) que cobre o chip semicondutor (1) e também cobre uma fração e uma primeira linha de fiação de ajuste de modo que é uma das linhas de fiação de ajuste de modo (20d, 20e, 20f), a camada de vedação (43) incluindo um orifício de passagem de ajuste de modo formado acima de uma fração de uma segunda linha de fiação de ajuste de modo, sendo que a segunda linha de fiação de ajuste de modo é uma das linhas de fiação de ajuste de modo e é diferente da primeira linha de fiação de ajuste de modo, um condutor embutido de ajuste de modo fornecido no interior do orifício de passagem de ajuste de modo a ser conectado à segunda linha de fiação de ajuste de modo, e um padrão condutivo de ajuste de modo que é conectado ao condutor embutido de ajuste de modo e que é fornecido na camada de vedação (43) acima da fração da primeira linha de fiação de ajuste de modo.