Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 01/09/2009, observadas as condições legais. Patente concedida conforme ADI 5.529/DF, que determina a alteração do prazo de concessão.
01/27/2026
RPI 2873
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Official data from INPI
DISPOSITIVO SEMICONDUTOR EMPILHADO EM 3D, MÉTODO DE CONSTRUÇÃO DO MESMO E MÉTODO PARA PROTEÇÃO CONTRA DESCARGA ELETROSTÁTICA EM DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES EMPILHADOS EM 3D
ConcedidaInvention PatentPCT · US2009055620
Application data
Number
PI0918915Type
Invention Patent
Filing
09/01/2009
Publication
02/14/2018
PCT
US2009055620 Progress at the INPI
- Filing09/01/09
- Publication02/14/18
- Examination
- Allowance
- Grant01/27/26
- In force09/01/29
The patent was granted on 01/27/2026 and is in force until 09/01/2029. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:09/01/2029
Latest action published by the INPI: 01/27/2026. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants and inventors
Applicants
Q. I. (pessoa física)
US
Inventors
K. K. (pessoa física)
US
M. N. (pessoa física)
US
S. G. (pessoa física)
US
Technical data
IPC Classification
Priority claims
US
12/206,914 · 09/09/2008
Abstract
SISTEMAS E MÃTODOS PARA HABILITAR PROTEÃÃO DE ESD EM DISPOSITIVOS EMPILHADOS EM 3D. Trata-se de um dispositivo de proteção de descarga eletrostática (ESD) que é fabricado em um espaço vertical entre as camadas ativas de pastilha semicondutoras empilhadas, utilizando, assim, o espaço que seria por outro lado usado apenas para propósitos de comunicação. A área de superfÃcie vertical das vias através do silÃcio (TSVs, Through Silicon Vias) é usada para absorver grandes tensões que resultam de eventos de ESD. Em uma modalidade, um diodo de ESD é criado em uma TSV vertical entre as camadas ativas das pastilhas semicondutoras de um dispositivo empilhado. Este diodo de ESD pode ser compartilhado pelo conjunto de circuitos em ambas as pastilhas semicondutoras da pilha, economizando, assim, o espaço e reduzindo a área de pastilha exigida pelo conjunto de circuitos de proteção de ESD.
Prosecution history
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
100.1
Recurso conhecido e provido. Reformada a decisão recorrida e deferido o pedido. Desta data corre o prazo de 60 (sessenta) dias para o pagamento da retribuição para expedição da Carta-Patente. [100.1] Recurso conhecido e provido. Reformada a decisão recorrida e deferido o pedido. O INPI irá expedir a carta-patente gratuitamente após a decisão.Transição: Nos deferimentos a partir de 21/09/2025, o I
01/13/2026
RPI 2871
121
Recorrente: O depositante.@ Despacho: Cumpra as exigências do parecer no prazo de 60 (sessenta) dias. [121]
11/04/2025
RPI 2861
Petição de recurso
#12.2
Recurso: 870210005426 - 15/01/2021
01/26/2021
RPI 2612
Indeferimento
#9.2
11/17/2020
RPI 2602
Conhecimento de parecer técnico
#7.1
04/14/2020
RPI 2571
Conhecimento de parecer técnico
#7.1
06/18/2019
RPI 2528
6.20
01/29/2019
RPI 2508
Notificação de acesso ao patrimônio genético
#6.6.1
01/22/2019
RPI 2507
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
02/14/2018
RPI 2458
Alteração de dados cadastrais
#1.1
11/29/2011
RPI 2134
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