UM TRANSISTOR MOS COMPOSTO EM INVERSÃO FRACA PARA APLICAÇÕES EM ULTRA-BAIXA TENSÃO E ULTRA-BAIXA POTÊNCIA

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Abstract

UM TRANSISTOR MOS COMPOSTO EM INVERSÃO FRACA PARA APLICAÇÕES EM ULTRA-BAIXA TENSÃO E ULTRA-BAIXA POTÊNCIA. A presente invenção refere-se a uma topologia envolvendo transistores de efeito de campo do tipo MOS operando na condição de saturação em inversão fraca (1) com os flns'de apresentar baixo consumo de potência, elevada impedância de saída e baixa tensão de alimentação, para aplicações em circuitos integrados. Ela apresenta uma construção de um transistor composto que, polarizado em inversão fraca, possui um aumento cascode da resistência saída do elemento sem o aumento de consumo de corrente, ou diminuição de excursão do sinal ou mesmo a necessidade de fontes de polarização auxiliares, sendo assim um dispositivo de interesse no uso em espelhos de corrente e no aumento do ganho de amplificadores e do PSRR de circuitos.