Retificação de publicação
#3.8
Referente à RPI 1971 de 14/10/2008, quanto ao item (54).
04/17/2018
RPI 2467
Application data
Number
PI0701478Type
Filing
Publication
The application was published in the RPI gazette on 10/14/2008 and is now open to any interested party. It moves on to technical examination at the INPI.
Latest action published by the INPI: 04/17/2018. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
N. W. (pessoa física)
RS, BR
Inventors
N. W. (pessoa física)
BR
IPC Classification
Abstract
PROCESSO DE OBTENÇÃO DE FILMES FINOS IRIDESCENTES E POLICRISTALINOS E COMPOSTOS SÓLIDOS DE OXIDOS TIPO-PEROVSKITA (ARO~ 3~ E ARO~ 3~ .X) A BAIXAS TEMPERATURAS.A presente invenção propõe a preparação estequiométrica de filmes finos formados por áxidos tipo perovskita (ABO3 e ABO~ 3~ .X). Que em função das condições impostas pelo método formam filmes de mesma composição química, porém com características fisicas distintas: filmes iridescentes ou multicoloridos (Fl)(espessura de 240 nm ou menos) e filmes policristalinos ou transparentes (FP)(espessura de 40 nm ou menos).A mesma rota sintética pode ser utilizada para obtenção de compostos ou substancias sólidas dos áxidos tipo-perovskita (ABO3 ou ABO3. X). A solução precursora é obtida através de rota sintética específica, sendo depositada por processos de dip coating, spzn coa hing, deposição química por vapor (CVD) ou fisica (PVP), em temperaturas variando de 55°Ca 65°C, atmosfera inerte ou ambiente, seguido de anelamento (ou pirólise) a 155°C (FI) ou 350°C (FP). A presente metodologia requer temperaturas de deposição e anelamento mais baixas e processamento em atmosfera ambiente (1 atm), não requerendo equipamentos especiais para o controle de pressão, tais como bombas de vácuo e fluxo de gases, permitindo a deposição em substratos econômicos tais como vidros comerciais, plásticos, acrilicos, semi-condutores e metais. Formação de filmes finos (diâmetro de partícula em escala nanométrica) com aderéncia ao substrato, homogeneidade superficial dentro de padrões de qualidade e elevada constante dielétrica, podem ser utilizados como materiais dielétricos em capacitores, gravadores e leitores magneto-óticos (dispositivos de memória - RAM), sensores, moduladores de luz, detectores piroelétricos e chaves óticas, permitindo a miniaturização de equipamentos eletrônicos, tais como cân1eras digitais e telefones celulares. Filmes finos de titanato de bário com espessuras variando entre 10 e 240 nm, obtidos pela utilização da metodologia proposta por este invento, podem ser processados em plantas industriais, com viabilidade econômica maior comparativamente a métodos/processos existentes no mercado.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#3.8
Referente à RPI 1971 de 14/10/2008, quanto ao item (54).
04/17/2018
RPI 2467
#9.2.4
MANTIDO O INDEFERIMENTO UMA VEZ QUE NÃO FOI APRESENTADO RECURSO DENTRO DO PRAZO LEGAL.
05/17/2016
RPI 2367
#9.2
Indefiro o pedido de acordo com o(s) artigo(s) da LPI
01/05/2016
RPI 2348
#7.1
11/25/2014
RPI 2290
#3.1
10/14/2008
RPI 1971
#2.1
08/14/2007
RPI 1910
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