10.1
Homologada a desistência do pedido solicitada através da petição N°870170044698 de 28/06/2017.
09/05/2017
RPI 2435
Application data
Number
PI0618329Type
Filing
Publication
PCT
JP2006322327 The applicant withdrew the application. The case ended without a patent.
Talk to a specialistLatest action published by the INPI: 09/05/2017. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
C. K. (pessoa física)
JP
Inventors
M. S. (pessoa física)
JP
N. K. (pessoa física)
JP
T. A. (pessoa física)
JP
IPC Classification
Priority claims
JP
2005-323689 · 11/08/2005
JP
2006-283893 · 10/18/2006
Abstract
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO. É fornecido um transistor de efeito de campo que inclui uma camada ativa e uma película isolante de porta, em que a camada ativa inclui uma camada de óxido amorfo contendo uma região amorfa e uma região cristalina, e a região cristalina situa-se na vizinhança da, ou em contato com, uma interface entre a camada de óxido amorfo e a película isolante de porta.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
Homologada a desistência do pedido solicitada através da petição N°870170044698 de 28/06/2017.
09/05/2017
RPI 2435
#7.1
08/15/2017
RPI 2432
#1.3
05/08/2012
RPI 2157
#1.1
08/16/2011
RPI 2119
Solicita-se a regularização da procuração, uma vez que baseado no artigo 216 § 1° da LPI, o documento de procuração deve ser apresentado no original, traslado ou fotocópia autenticada.
08/09/2011
RPI 2118
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