DISPOSITIVO, MÉTODO DE OPERAÇÃO DE SEMICONDUTOR CONTROLÁVEL, MÉTODO DE DETERMINAR AS CONDIÇÕES OPERACIONAIS PARA SEMICONDUTOR CONTROLÁVEL, MÉTODO PARA DETECTAR O EFEITO DE TÚNEL DA CORRENTE, MÉTODO PARA DETERMINAR ERROS REAIS E POTENCIAIS NA OPERAÇÃO DE SEMICONDUTOR CONTROLÁVEL, MÉTODO DE DETERMINAR CAPACIDADE DE MANIPULAR POTÊNCIA DE DISPOSITIVO INSTALADO

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Abstract

DISPOSITIVO, MÉTODO DE OPERAÇÃO DE SEMICONDUTOR CONTROLÁVEL, MÉTODO DE DETERMINAR AS CONDIÇÕES OPERACIONAIS PARA SEMICONDUTOR CONTROLAVEL, MÉTODO PARA DETECTAR O EFEITO DE TÚNEL DA CORRENTE, MÉTODO PARA DETERMINAR ERROS REAIS E POTÊNCIAIS NA OPERAÇÃO DE SEMICONDUTOR CONTROLAVEL, MÉTODO DE DETERMINAR CAPACIDADE DE MANIPULAR POTÊNCIA DE DISPOSITIVO INSTALADO. É proposto um dispositivo (100) que inclui um semicondutor controlável (102), sensor (106), e controlador (104) O semicondutor controlável (102) é associado com um primeiro parâmetro operacional e um segundo parâmetro operacional, sendo o primeiro parâmetro operacional controlável. O sensor (106) está em comunicação com o dispositivo semicondutor controlável (102) e adquire dados relativos ao segundo parâmetro operacional. O controlador (104) está em comunicação com o dispositivo semicondutor controlável (102) e com o sensor (106). O controlador (104) é configurado de modo a acessar dados do dispositivo associados com o semicondutor controlável (102), a controlar o primeiro parâmetro operacional e a receber dados do primeiro sensor (106) relativos ao segundo parâmetro operacional. O controlador (104) determina um primeiro valor previsto dependente dos dados do dispositivo, compara os dados relativos ao segundo parâmetro operacional com o primeiro valor previsto e, se uma primeira condição for detectada com base nesta comparação, modifica dinamicamente o primeiro parâmetro operacional.