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Official data from INPI

CÉLULA SOLAR DE HETEROCONTATO COM GEOMETRIA INVERTIDA DE SUAS ESTRUTURAS DE CAMADAS

ArquivadaInvention PatentPCT · DE2006000670

Application data

Number

PI0607528

Type

Invention Patent

Filing

04/11/2006

Publication

09/08/2009

PCT

DE2006000670

Progress at the INPI

  1. Filing04/11/06
  2. Publication09/08/09
  3. Abandoned
  4. Allowance
  5. Grant
  6. In force

The application was abandoned: examination was not requested within the 36 months following the 04/11/2006 filing, the deadline set by art. 33 of the Brazilian IP Act. The technology is in the public domain in Brazil.

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Latest action published by the INPI: 05/29/2012. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

Hahn-Meitner-Institut Berlin GMBH

AL

Inventors

F. W. (pessoa física)

AL

G. C. (pessoa física)

AL

M. K. (pessoa física)

AL

O. A. (pessoa física)

AL

Technical data

IPC Classification

Priority claims

AL

102005019225.4 · 04/20/2005

Abstract

CÉLULA SOLAR DE HETEROCONTATO COM GEOMETRIA INVERTIDA DE SUAS ESTRUTURAS DE CAMADAS. O emissor amorfo da conhecida célula solar de heterocontatos é organizado no topo do dispositivo de absorção cristalino, voltado para a luz e absorve a luz incidente que, portanto não pode contribuir para a geração de condutores de (;arga, no dispositivo de absorção. A camada óxido condutora transparente (TCO), como a camada de cobertura, que tem um efeito negativo na transição pn, pode ser evitada. A célula solar de heterocontato (HKS), da invenção, tem a geometria invertida da sua estrutura de camadas e, assim, um heterocontato invertido. O emissor amorfo (EM) é organizado no fundo (LU) do dispositivo de absorção (AB) cristalino, voltado para longe da luz. O dispositivo de absorção (AB) é coberto apenas por uma camada de anti-reflexo transparente (ARS), no topo (LO), voltada para a luz, tal camada, em razão do material escolhido, é, ao mesmo tempo, a camada de passivação (PS) eletricamente efetiva, portanto evitando perdas de absorção. O tempo de recuperação de energia, com relação às exigências de material, tempo e energia pode ser reduzido por produção de baixa temperatura do emissor (EM) e a camada anti-reflexo (ARS) por processos plasma CVD, em temperatura entre 250°C e 350°C. A estrutura de contato (OKS) superior penetra a camada anti-reflexo transparente (ARS) digitadamente, a estrutura de contato (UKS) mais baixa é configurada como uma camada de metal (MS) fina, de superficie larga.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI

#11.1.1

05/29/2012

RPI 2160

Arquivamento - Art. 33 da LPI

#11.1

01/04/2011

RPI 2087

Alteração de nome indeferida

#25.5

Indeferido o pedido de Alteração de Nome, por falta de cumprimento da exigência publicado na RPI 2030 de 01/12/2009.

06/08/2010

RPI 2057

Alteração de nome em exigência

#25.6

A fim de atender ao pedido de Alteração de Nome, requerida através da Petição nº 015080004302/PR de 28/11/2008, queira apresentar a legalização consular e a tradução juramentada do documento de alteração.

12/01/2009

RPI 2030

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

09/08/2009

RPI 2018

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