MÉTODO PARA A PRODUÇÃO DE UMA LÂMINA DE SEMICONDUTOR CRISTALINO COM UM CAMPO ELÉTRICO INTEGRADO, E LÂMINA DE SEMICONDUTOR CRISTALINO

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MÉTODO PARA A PRODUÇÃO DE UMA LÂMINA DE SEMICONDUTOR CRISTALINO COM UM CAMPO ELÉTRICO INTEGRADO, E, LÂMINA DE SEMICONDUTOR CRISTALINO. A invenção descreve um método para a produção de uma lâmina de silício com um transporte alvejado de portador de carga para a transição p-n por meio de um campo elétrico integral (campo de desvio). Pela variação da taxa de cristalização e introdução de uma substância dopante no silício fluido de antemão, um processo de cristalização pode ser executado de tal modo que um gradiente sobre a espessura da lâmina seja produzido no perfil de dopagem no silício. Este gradiente do perfil de dopagem origina um campo elétrico. Com a ajuda de várias técnicas de fundição de lâmina, lâminas adequadas à produção de células solares podem, assim ser produzidas de uma maneira relativamente simples.