(11) 98705-3426
TrademarkIQ iconTrademarkIQ
Back to search
Official data from INPI

MÉTODO PARA FABRICAR UM SENSOR DE IMAGEM, E, SENSOR DE IMAGEM

ArquivadaInvention PatentPCT · IB2005051560

Application data

Number

PI0511880

Type

Invention Patent

Filing

05/12/2005

Publication

01/15/2008

PCT

IB2005051560

Progress at the INPI

  1. Filing05/12/05
  2. Publication01/15/08
  3. Abandoned
  4. Allowance
  5. Grant
  6. In force

The application was abandoned: examination was not requested within the 36 months following the 05/12/2005 filing, the deadline set by art. 33 of the Brazilian IP Act. The technology is in the public domain in Brazil.

Talk to a specialist

Latest action published by the INPI: 09/21/2010. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

K. V. (pessoa física)

NL

See this company's full portfolio

Inventors

D. V. (pessoa física)

NL

E. G. (pessoa física)

NL

E. G. (pessoa física)

NL

G. R. (pessoa física)

NL

J. M. (pessoa física)

NL

L. B. (pessoa física)

NL

N. V. (pessoa física)

NL

Technical data

IPC Classification

Priority claims

EP

04102618.8 · 06/09/2004

EP

04105544.3 · 11/05/2004

Abstract

MÉTODO PARA FABRICAR UM SENSOR DE IMAGEM, E, SENSOR DE IMAGEM A invenção é relativa a um método para fabricar um sensor de imagem iluminado pelo lado de trás (14), que compreende as etapas de: começando com uma pastilha (2) que tem uma primeira (3) e uma segunda (4) superficies, fornecer regiões de pixel sensíveis à luz (5) que se estendem na pastilha (2) a partir da primeira superfície (3), prender a pastilha (2) sobre um substrato protetor (7) de tal modo que a primeira superfície (3) faceia o substrato protetor, a pastilha compreendendo um substrato de um primeiro material (8) com uma camada ótica transparente (9) e uma camada de material semicondutor (10) na qual o substrato (8) é removido de maneira seletiva da camada de material semicondutor utilizando a camada transparente ótica (9) como camada de interrupção. Para sensores de imagem iluminados pelo lado de trás, luz deve transmitir através da camada semicondutora e penetrar nas regiões de pixel sensíveis à luz (5). Para reduzir perdas de absorção é muito vantajoso que a camada de semicondutor (10) possa é feita relativamente fina com uma boa uniformidade. Devido à espessura reduzida da camada de semicondutor, mais luz pode penetrar nas regiões sensíveis à luz, resultando em um rendimento melhorado do sensor de imagem.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI

#11.1.1

09/21/2010

RPI 2072

Arquivamento - Art. 33 da LPI

#11.1

04/06/2010

RPI 2048

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

01/15/2008

RPI 1932

Patent monitoring

Track this patent in real time.

Receive alerts on INPI events, decisions, and expiry dates for your portfolio.