Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI
#11.1.1
09/21/2010
RPI 2072
Application data
Number
PI0511880Type
Filing
Publication
PCT
IB2005051560 The application was abandoned: examination was not requested within the 36 months following the 05/12/2005 filing, the deadline set by art. 33 of the Brazilian IP Act. The technology is in the public domain in Brazil.
Talk to a specialistLatest action published by the INPI: 09/21/2010. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
K. V. (pessoa física)
NL
Inventors
D. V. (pessoa física)
NL
E. G. (pessoa física)
NL
E. G. (pessoa física)
NL
G. R. (pessoa física)
NL
J. M. (pessoa física)
NL
L. B. (pessoa física)
NL
N. V. (pessoa física)
NL
IPC Classification
Priority claims
EP
04102618.8 · 06/09/2004
EP
04105544.3 · 11/05/2004
Abstract
MÉTODO PARA FABRICAR UM SENSOR DE IMAGEM, E, SENSOR DE IMAGEM A invenção é relativa a um método para fabricar um sensor de imagem iluminado pelo lado de trás (14), que compreende as etapas de: começando com uma pastilha (2) que tem uma primeira (3) e uma segunda (4) superficies, fornecer regiões de pixel sensíveis à luz (5) que se estendem na pastilha (2) a partir da primeira superfície (3), prender a pastilha (2) sobre um substrato protetor (7) de tal modo que a primeira superfície (3) faceia o substrato protetor, a pastilha compreendendo um substrato de um primeiro material (8) com uma camada ótica transparente (9) e uma camada de material semicondutor (10) na qual o substrato (8) é removido de maneira seletiva da camada de material semicondutor utilizando a camada transparente ótica (9) como camada de interrupção. Para sensores de imagem iluminados pelo lado de trás, luz deve transmitir através da camada semicondutora e penetrar nas regiões de pixel sensíveis à luz (5). Para reduzir perdas de absorção é muito vantajoso que a camada de semicondutor (10) possa é feita relativamente fina com uma boa uniformidade. Devido à espessura reduzida da camada de semicondutor, mais luz pode penetrar nas regiões sensíveis à luz, resultando em um rendimento melhorado do sensor de imagem.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#11.1.1
09/21/2010
RPI 2072
#11.1
04/06/2010
RPI 2048
#1.3
01/15/2008
RPI 1932
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