Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI
#11.1.1
09/21/2010
RPI 2072
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Application data
Number
PI0510960Type
Invention Patent
Filing
04/21/2005
Publication
11/20/2007
PCT
US2005013725 Progress at the INPI
- Filing04/21/05
- Publication11/20/07
- Abandoned
- Allowance
- Grant
- In force
The application was abandoned: examination was not requested within the 36 months following the 04/21/2005 filing, the deadline set by art. 33 of the Brazilian IP Act. The technology is in the public domain in Brazil.
Talk to a specialistLatest action published by the INPI: 09/21/2010. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants and inventors
Applicants
Cree, Inc
US
Inventors
M. M. (pessoa física)
US
P. P. (pessoa física)
US
U. M. (pessoa física)
US
Y. W. (pessoa física)
US
Technical data
IPC Classification
Priority claims
US
10/958,945 · 10/04/2004
US
60/571,342 · 05/13/2004
Abstract
TRANSISTOR É descrito um transistor de efeito de campo que compreende um amortecimento e camada de canal formados sucessivamente em um substrato. Um eletrodo da fonte, eletrodo de dreno e porta são todos formados em contato elétrico com a camada de canal, com a porta entre os eletrodos de fonte e de dreno. Uma camada espaçadora é formada em pelo menos uma parte de uma superfície da camada de canal entre a porta e o eletrodo de dreno, e a placa de campo é formada na camada espaçadora isolada da porta e da camada de canal. A camada espaçadora é conectada eletricamente por pelo menos um trajeto condutivo no eletrodo de fonte, em que a placa de campo reduz o campo elétrico operacional de pico no MESFET.
Prosecution history
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
Arquivamento - Art. 33 da LPI
#11.1
03/30/2010
RPI 2047
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
11/20/2007
RPI 1924
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