Arquivamento definitivo por descumprimento
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2144 de 07/02/2012.
10/02/2012
RPI 2178
Application data
Number
PI0317639Type
Filing
Publication
PCT
US2003040796 The application was abandoned for failure to pay the annuities (art. 86 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.
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Applicants
Praxair Technology, Inc.
US
Inventors
J. L. (pessoa física)
US
IPC Classification
Priority claims
US
10/329,440 · 12/27/2002
Abstract
"MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM CONDUTOR IÔNICO PARA MELHORAR A CONDUTIVIDADE DE ÍON DE OXIGÊNIO". Método de fabricação de um condutor iônico para melhorar a condutividade de íon de oxigênio que é de outra maneira reduzida pela presença de impurezas prejudiciais que compreendem silício ou compostos que contêm silicio. De acordo com a invenção um sal dissolvido de um dopante que consiste de um metal alcalino-terroso é aplicado a um material condutor de íon de oxigênio composto de céria dopada, de zircônia dopada ou de galato de lantânio dopado e que tem as impurezas. A solução pode também ser aplicada com igual sucesso a sais e óxidos catiônicos usados na obtenção do material condutor de íon de oxigênio. O material condutor de íon de oxigênio com a solução ali aplicada é misturado muito bem e então aquecido para evaporar o solvente e para decompor os sais alcalino-terrosos e assim formar o dito condutor iônico.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2144 de 07/02/2012.
10/02/2012
RPI 2178
#8.6
Referente à 8ª Anuidade(s).
02/07/2012
RPI 2144
#1.3
12/20/2005
RPI 1824
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