DISPOSITIVO PARA REALIZAR UM PROCESSO OTIMIZADO A PLASMA.

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Abstract

"DISPOSITIVO PARA REALIZAR UM PROCESSO OTIMIZADO A PLASMA". A presente invenção refere-se a um dispositivo para realizar um processo otimizado por plasma, em particular, um processo de deposição química a vapor otimizado por plasma, que compreende, dentro de uma câmara a vácuo, pelo menos um eletrodo de magnetron (32) constituindo um magnetron não equilibrado tendo uma face de magnetron plana (20) com pólos magnéticos periféricos e centrais com polaridades opostas e sendo conectados a uma fonte (34) de uma voltagem alternada. O dispositivo compreende adicionalmente um meio para posicionar um substrato (25) com uma superfície a ser tratada dando face para a face do magnetron (20) e um meio de fornecimento de gás para fornecer um gás de processo ou uma mistura de gás de processo ao espaço entre a face do magnetron (20) e a superfície a ser tratada. Para conseguir uma taxa de deposição ótima, a distância entre a face do magnetron (20) e a superfície a ser tratada é adaptada para o campo magnético criado pelo eletrodo do magnetron (32) tal que existe uma banda de plasma visível correndo entre os túneis mais escuros formados pelas linhas de campo magnético que se estendem entre os pólos magnéticos periféricos e centrais da face do magnetron (20) e a superfície a ser tratada, sendo que a banda de plasma tem uma largura mínima que tem um brilho homogêneo na direção da superfície a ser revestida. A distância entre a superfície a ser tratada e a face do magnetron é, de preferência, entre 2 e 20% maior do que a altura dos túneis. O dispositivo é aplicável, por exemplo, para revestir uma rede de um material de película polimérica com óxido de silício de modo a melhorar suas propriedades de barreira.