Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI
#11.1.1
12/04/2007
RPI 1926
Application data
Number
PI0307130Type
Filing
Publication
The application was abandoned: examination was not requested within the 36 months following the 09/10/2003 filing, the deadline set by art. 33 of the Brazilian IP Act. The technology is in the public domain in Brazil.
Talk to a specialistLatest action published by the INPI: 12/04/2007. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
B. S. (pessoa física)
PE, BR
E. V. (pessoa física)
PE, BR
E. J. (pessoa física)
PE, BR
W. A. (pessoa física)
PE, BR
Inventors
B. S. (pessoa física)
BR
E. V. (pessoa física)
BR
E. J. (pessoa física)
BR
W. A. (pessoa física)
BR
IPC Classification
Abstract
"PROCESSO DE FABRICAÇÃO DE CAMADAS DE SILÍCIO POROSO POR EXPOSIÇÃO A VAPORES CORROSIVOS DO SILÍCIO". A presente invenção refere-se à produção de nanocristais de Si por meio da formação de camadas de silício poroso. O método aqui proposto envolve a utilização de um béquer contendo uma solução de quatro partes de HF e uma parte de HNO3, sobre o qual fica exposto o substrato de silício. Quando são colocados pedaços de Si na solução, gera-se o vapor que origina a camada de Si poroso (fig.1). Tal método proporciona camadas com luminescência na chamada banda S (vermelho-alaranjado) (fig.2) com excelente uniformidade e reprodutibilidade (fig.3).
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#11.1.1
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RPI 1926
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