Arquivamento definitivo por descumprimento
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2224 de 20/08/2013.
02/18/2014
RPI 2250
Application data
Number
PI0208601Type
Filing
Publication
PCT
NL2002000244 The application was abandoned for failure to pay the annuities (art. 86 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.
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Applicants
T. E. (pessoa física)
NL
Inventors
A. S. (pessoa física)
NL
D. S. (pessoa física)
NL
E. H. (pessoa física)
NL
M. S. (pessoa física)
NL
IPC Classification
Priority claims
NL
1017849 · 04/16/2001
Abstract
"PROCESSO E DISPOSITIVO PARA DEPOSITAR UMA CAMADA DE SILÍCIO, PELO MENOS PARCIALMENTE CRISTALINA, EM UM SUBSTRATO". Em um processo e dispositivo para depositar uma camada de silício, pelo menos parcialmente cristalina, é gerado um plasma e um substrato (24) é exposto, sob a influência do plasma, a um fluido fonte contendo silício, para deposição nele de silicio. Uma queda de pressão é aplicada entre um local (12), onde o fluido fonte é suprido, e o substrato (24). Além do fluido fonte, um fluido auxiliar é também injetado, que é capaz de atacar os átomos de silício não-cristalinos. O substrato (24) é exposto tanto ao fluido fonte como ao fluido auxiliar.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2224 de 20/08/2013.
02/18/2014
RPI 2250
#8.6
Referente à 11ª anuidade
08/20/2013
RPI 2224
#6.1
03/29/2011
RPI 2099
#6.1
07/27/2010
RPI 2064
#7.1
01/05/2010
RPI 2035
#1.3
03/23/2004
RPI 1733
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