DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E SEU MÉTODO DE FABRICAÇÃO

IPC Classification

Priority claims

Abstract

"DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E SEU MÉTODO DE FABRICAÇÃO". A presente invenção tem o objetivo de fornecer um dispositivo semicondutor do tipo tiristor e um método de fabricação para o mesmo que possa evitar, mesmo quando for usado equipamento convencional de fabricação, que os terminais do eletrodo 13, 14 sejam fornecidos num estado significativamente inclinado em que os terminais de eletrodo 13, 14 fiquem em contato com o substrato de silício 20, e possam também evitar que os terminais do eletrodo 13, 14 sejam fornecidos num estado em que terminais de eletrodo 13, 14 entrem em contato com o substrato de silício 20, mesmo quando houver deformação e ondulações no substrato de silício 20. Num dispositivo semicondutor da presente invenção, os suportes 11a, 11b são fornecidos em ambas as superfícies do substrato de silício 20 usando-se um material vítreo. Fazendo-se assim, o suporte 11b fica disposto numa parte da fronteira entre a segunda camada 18 do tipo N e uma segunda camada 19 do tipo P que fica oposta à superfície lateral 22. Com esta estrutura, mesmo se os terminais de eletrodo 13, 14 estiverem inclinados quando os terminais de eletrodo 13, 14 são fornecidos, os suportes 11a, 11b suportam os terminais do eletrodo 13, 14 a partir de baixo, de modo que pode ser evitado que os terminais de eletrodo 13, 14 sejam fornecidos em contato com os substratos de silício 20. Além disso, mesmo quando houver deformação e ondulações no substrato de silício 20, pode ser evitado que os terminais de eletrodo 13, 14 sejam fornecidos em contato com o substrato de silício 20.