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Official data from INPI

PROCESSO PARA FABRICAR UM CIRCUITO INTEGRADO FOTÔNICO

Arquivada/ExtintaInvention PatentPCT · GB2001000904

Application data

Number

PI0109069

Type

Invention Patent

Filing

03/02/2001

Publication

12/07/2004

PCT

GB2001000904

Progress at the INPI

  1. Filing03/02/01
  2. Publication12/07/04
  3. Abandoned
  4. Allowance
  5. Grant
  6. In force

The application was abandoned for failure to pay the annuities (art. 86 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.

Talk to a specialist

Latest action published by the INPI: 10/19/2010. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

NTU Ventures Pte LTD

SG

Inventors

B. O. (pessoa física)

MY

S. T. (pessoa física)

SG

Y. Z. (pessoa física)

SG

Y. L. (pessoa física)

SG

Y. C. (pessoa física)

SG

Technical data

Priority claims

SG

200004786-0 · 09/11/2000

SG

200004787-8 · 09/11/2000

SG

PCT/SG/00038 · 03/08/2000

SG

PCT/SGOO/00039 · 03/08/2000

Abstract

"PROCESSO PARA FABRICAR UM CIRCUITO INTEGRADO FOTÔNICO". A presente invenção provê uma nova técnica baseada na configuração de máscara de escala de cinza (110), que requer somente uma única etapa de litografia e gravação (110, 120) para produzir diferente espessura de máscara de implantação de SiO~ 2~ (13) em regiões selecionadas, seguida de uma etapa IID (130) para obter intermixagem de área seletiva. Esta técnica nova, de baixo custo e simples pode ser aplicada para a fabricação de PIC em geral, e fontes WDM em particular. Aplicando uma técnica de máscara de escala de cinza em IID, de acordo com a presente invenção, a energia de intervalo de faixa de um material QW pode ser sintonizada em diferentes graus através de uma pastilha (14). Isto habilita, não só a integração de lasers monolíticos de comprimento de onda múltiplo como adicionalmente se estende para integrar com moduladores e acopladores em um único "chip". Esta técnica pode também ser aplicada para facilitar o processo de fabricação e projeto de diodos super luminescentes (SLD) expandindo o espectro de ganho para um máximo, após o crescimento epitaxial.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Arquivamento definitivo por descumprimento

#8.11

Referente ao despacho 8.6 da RPI 2016 de 25/08/2009

10/19/2010

RPI 2076

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente a 5º, 6º, 7º e 8º anuidades.

08/25/2009

RPI 2016

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

12/07/2004

RPI 1770

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