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Official data from INPI

SUPERCONDUTORES COM FILME FINO DE Hg, MATERIAIS TERMOELÉTRICOS E MÉTODOS DE FABRICAÇÃO DOS MESMOS

ArquivadaInvention PatentPCT · US2000029818

Application data

Number

PI0015099

Type

Invention Patent

Filing

10/25/2000

Publication

06/13/2006

PCT

US2000029818

Progress at the INPI

  1. Filing10/25/00
  2. Publication06/13/06
  3. Abandoned
  4. Allowance
  5. Grant
  6. In force

The application was abandoned: examination was not requested within the 36 months following the 10/25/2000 filing, the deadline set by art. 33 of the Brazilian IP Act. The technology is in the public domain in Brazil.

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Latest action published by the INPI: 11/27/2007. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

T. K. (pessoa física)

US

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Inventors

J. W. (pessoa física)

US

S. Y. (pessoa física)

US

Y. X. (pessoa física)

US

Technical data

Priority claims

US

09/427,428 · 10/26/1999

Abstract

"SUPERCONDUTORES COM FILME FINO DE Hg, MATERIAIS TERMOELÉTRICOS E MÉTODOS DE FABRICAÇÃO DOS MESMOS". São fornecidos filmes supercondutores contendo Hg aperfeiçoados e materiais termoelétricos. Os filmes são fabricados por recozimento de filmes de partida contendo TI (por exemplo TI-1212 ou TI-2212) em um ambiente contendo vapor de Hg para causar a substituição de TI por Hg sem alteração substancial da estrutura cristalina dos filmes de partida. De preferência, um corpo compreendendo um substrato tendo a filme epitaxial contendo TI sobre si é recozido em condições de vácuo com uma massa à base de Hg; as condições de recozimento típicas são 600 - 900 C por um período de cerca de 1 - 20 horas. Os produtos finais de filme contendo Hg têm um J~ c~ de pelo menos 10^ 6^ A/cm^ 2^ (100 K, OT) e um X~ min~ de até cerca de 50%. Os materiais termoelétricos são preparados por perturbação de um precursor cristalino tendo uma estrutura semelhante à do material final para fazer com que uma primeira molécula seja liberada do precursor. Um vapor é introduzido no sistema reacional ao mesmo tempo que a etapa de perturbação ou imediatamente após a mesma para fazer com que moléculas que estejam no vapor e sejam diferentes das primeiras moléculas substituam as primeiras moléculas no precursor.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI

#11.1.1

11/27/2007

RPI 1925

Arquivamento - Art. 33 da LPI

#11.1

01/30/2007

RPI 1882

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

06/13/2006

RPI 1849

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