PROCESSO PARA FORMAÇÃO GALVÂNICA DE ESTRUTURAS CONDUTORAS DE COBRE DE ALTA PUREZA NA PRODUÇÃO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

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Abstract

Patente de Invenção: "PROCESSO PARA FORMAÇÃO GALVÂNICA DE ESTRUTURAS CONDUTORAS DE COBRE DE ALTA PUREZA NA PRODUÇÃO DE CIRCUITOS INTEGRADOS". A invenção refere-se a um processo para a formação galvânica de estruturas condutoras de cobre de alta pureza sobre superfícies de substratos semicondutores (wafers) 1, dotadas de cavidades 2, na produção de circuitos integrados. O processo compreende os seguintes passos de processo: a. revestimento das superfícies dos substratos semicondutores 1, dotadas de cavidades 2, com uma camada metálica básica de superfície total, para obter uma condutibilidade suficiente para a precipitação galvânica; b. precipitação em superfície total de camadas de cobre 3 com espessura de camada uniforme sobre a camada metálica básica com um processo de precipitação metálica, por contato dos substratos semicondutores com um banho de precipitação de cobre, sendo que o banho de precipitação de cobre contém pelo menos uma fonte de íons de cobre, pelo menos um composto de aditivo, para controle das propriedades físico-mecânicas das camadas de cobre, bem como compostos de Fe(II) e/ou Fe(III) e sendo que entre os substratos semicondutores e os contra-eletrodos de dimensões estáveis, insolúveis no banho, e postos em contato com o mesmo, é aplicada uma tensão elétrica, de modo que entre os substratos semicondutores 1 e os contra-eletrodos corre uma corrente elétrica; c) estruturação da camada de cobre 3.