TRANSISTOR SiC NMOSFET PARA USO COMO INTERRUPTOR DE FORÇA E MÉTODO PARA SUA FABRICAÇÃO

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Abstract

TRANSISTOR SIC NMOSFET PARA USO COMO INTERRUPTOR DE FORÇA E MÉTODO PARA SUA FABRICAÇÃO Transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico lateral (MOSFET) formado sobre o substrato de uma pastilha semicondutora, método para sua fabricação e dispositivo semicondutor incorporando o MOSFET ou o método. Numa modalidade, o MOSFET inclui uma camada de carbureto de silício localizada sobre ou dentro do substrato, uma porta formada sobre a camada de carbureto de silício. O MOSFET inclui, ainda, regiões de fonte e dreno localizadas na camada de carbureto de silício e em contato com a porta, sendo que a camada de carbureto de silício aumenta a tensão de ruptura do MOSFET.