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DISPOSITIVO DE ONDAS ACÚSTICAS VOLUMÉTRICAS (BAW) DE DOIS TERMINAIS, DISPOSITIVO BAW DE DOIS TERMINAIS, E, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO BAW DE DOIS TERMINAIS

Em AnáliseInvention PatentPCT · SG2023050627

Application data

Invention Patent DISPOSITIVO DE ONDAS ACÚSTICAS VOLUMÉTRICAS (BAW) DE DOIS TERMINAIS, DISPOSITIVO BAW DE DOIS TERMINAIS, E, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO BAW DE DOIS TERMINAIS de RF360 SINGAPORE PTE. LTD. — IPC H03H 3/02
Invention Patent DISPOSITIVO DE ONDAS ACÚSTICAS VOLUMÉTRICAS (BAW) DE DOIS TERMINAIS, DISPOSITIVO BAW DE DOIS TERMINAIS, E, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO BAW DE DOIS TERMINAIS de RF360 SINGAPORE PTE. LTD. — IPC H03H 3/02. Drawing published by the INPI in the Industrial Property Gazette.

Number

112025004513

Type

Invention Patent

Filing

09/15/2023

Publication

09/02/2025

PCT

SG2023050627

Progress at the INPI

Examination not yet requested
  1. Filing09/15/23
  2. Publication
  3. Examination
  4. Allowance
  5. Grant
  6. In force

Examination has not been requested yet. Without that request by 09/15/2026, the application is definitively abandoned (art. 33 of the Brazilian IP Act).

Deadline to request examination:09/15/2026(21 days left)

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Latest action published by the INPI: 09/02/2025. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

RF360 SINGAPORE PTE. LTD.

SG

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Inventors

C. C. (pessoa física)

SG

M. S. (pessoa física)

SG

W. A. (pessoa física)

SG

Technical data

IPC Classification

Priority claims

US

17/934,291 · 09/22/2022

Abstract

DISPOSITIVO DE ONDAS ACÚSTICAS VOLUMÉTRICAS (BAW) DE DOIS TERMINAIS, DISPOSITIVO BAW DE DOIS TERMINAIS, E, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO BAW DE DOIS TERMINAIS. Um dispositivo de onda acústica volumétrica, BAW, compreende uma pilha de camadas (102) incluindo o primeiro eletrodo (104A) e um segundo eletrodo (104B), uma primeira camada piezoelétrica (106A) entre os eletrodos e uma segunda camada piezoelétrica (106B) entre a primeira camada piezoelétrica e o segundo eletrodo. Uma polarização (P2) de uma estrutura cristalina da segunda camada piezoelétrica é oposta a uma polarização (P1) de uma estrutura cristalina da primeira camada piezoelétrica para alcançar frequências ressonantes de ordem superior no dispositivo BAW por outros meios que não apenas adelgaçamento das camadas na pilha de camadas. Em alguns exemplos, o dispositivo BAW é um dispositivo de dois terminais e não inclui uma camada de metal configurada para ser um terceiro eletrodo. Em alguns exemplos, o dispositivo BAW inclui pelo menos uma camada intermediária (120, 122, 124) entre a primeira e a segunda camadas piezoelétricas e uma espessura total combinada da pelo menos uma camada intermediária é menor que 4 % de uma espessura total da pilha de camadas. Adicionalmente, são revelados: dispositivo de ondas acústicas volumétricas (BAW) de dois terminais, dispositivo BAW de dois terminais, e, método de fabricação de um dispositivo BAW de dois terminais relacionados.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

09/02/2025

RPI 2852

Alteração de dados cadastrais

#1.1

03/18/2025

RPI 2828

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