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CIRCUITO INTEGRADO DE RADIOFREQUÊNCIA (RFIC), E, MÉTODO DE CONSTRUÇÃO DE UM CIRCUITO INTEGRADO DE RADIOFREQUÊNCIA (RFIC) TENDO UM TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE COMUTAÇÃO (FET)

Em AnáliseInvention PatentPCT · US2023026621

Application data

Invention Patent CIRCUITO INTEGRADO DE RADIOFREQUÊNCIA (RFIC), E, MÉTODO DE CONSTRUÇÃO DE UM CIRCUITO INTEGRADO DE RADIOFREQUÊNCIA (RFIC) TENDO UM TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE COMUTAÇÃO (FET) — IPC H01L 27/12
Invention Patent CIRCUITO INTEGRADO DE RADIOFREQUÊNCIA (RFIC), E, MÉTODO DE CONSTRUÇÃO DE UM CIRCUITO INTEGRADO DE RADIOFREQUÊNCIA (RFIC) TENDO UM TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE COMUTAÇÃO (FET) — IPC H01L 27/12. Drawing published by the INPI in the Industrial Property Gazette.

Number

112025002266

Type

Invention Patent

Filing

06/29/2023

Publication

08/26/2025

PCT

US2023026621

Progress at the INPI

  1. Filing06/29/23
  2. Publication
  3. Examination
  4. Allowance
  5. Grant
  6. In force

The application was filed at the INPI on 06/29/2023. It awaits formal examination and publication in the RPI gazette.

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Latest action published by the INPI: 08/26/2025. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

Q. I. (pessoa física)

US

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Inventors

A. P. (pessoa física)

US

H. J. (pessoa física)

US

R. V. (pessoa física)

US

Technical data

IPC Classification

Priority claims

US

17/892,800 · 08/22/2022

Abstract

CIRCUITO INTEGRADO DE RADIOFREQUÊNCIA (RFIC), E, MÉTODO DE CONSTRUÇÃO DE UM CIRCUITO INTEGRADO DE RADIOFREQUÊNCIA (RFIC) TENDO UM TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE COMUTAÇÃO (FET). É descrito um circuito integrado de radiofrequência (RFIC). O RFIC inclui um transistor de efeito de campo de comutação (FET). O FET de comutação inclui uma região de origem, uma região de drenagem, uma região de corpo e uma região de porta. O RFIC inclui também um circuito de controle de polarização dinâmica. O circuito de controle de polarização dinâmica inclui pelo menos um transistor acoplado entre a região de corpo e a região de porta do FET de comutação. Adicionalmente, são revelados: circuito integrado de radiofrequência (RFIC), e, método de construção de um circuito integrado de radiofrequência (RFIC) tendo um transistor de efeito de campo de comutação (FET) relacionados.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

08/26/2025

RPI 2851

Alteração de dados cadastrais

#1.1

02/18/2025

RPI 2824

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