MEMÓRIA E DISPOSITIVO ELETRÔNICO

IPC Classification

Abstract

MEMÓRIA E DISPOSITIVO ELETRÔNICO. São fornecidos uma memória e um dispositivo eletrônico. A memória inclui uma pluralidade de grupos funcionais de linha de bits, uma pluralidade de células de memória, uma primeira estrutura em escada e uma segunda estrutura em escada localizadas em um substrato base; a pluralidade de grupos funcionais de linha de bits estão separados ao longo de uma primeira direção perpendicular ao substrato base, cada grupo funcional de linha de bits inclui uma primeira linha de bits, uma segunda linha de bits acoplada à primeira linha de bits, e uma terceira linha de bits acoplada à primeira linha de bits, a primeira linha de bits se estendendo ao longo de uma segunda direção paralela ao substrato base, a segunda linha de bits e a terceira linha de bits se estendendo ao longo de uma terceira direção paralela ao substrato base, e a segunda direção se intersectando com a terceira direção; a segunda linha de bits e a pluralidade de células de memória estão localizadas em um lado da primeira linha de bits na terceira direção, a terceira linha de bits, a primeira estrutura em escada e a segunda estrutura em escada estão localizadas no outro lado da primeira linha de bits na terceira direção, e a primeira estrutura em escada e a segunda estrutura em escada estão localizadas em lados opostos da terceira linha de bits na segunda direção. A estrutura da pilha na memória é compacta, o que é benéfico para aumentar o número de matrizes que podem ser cortadas de cada wafer.