SUBSTRATOS DE PACOTE QUE EMPREGAM CAMADA DE METALIZAÇÃO DE PAD PARA CAPACIDADE DE ROTEAMENTO DE SINAL AUMENTADA E PACOTES DE CIRCUITO INTEGRADO (IC) RELACIONADOS E MÉTODOS DE FABRICAÇÃO

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Abstract

SUBSTRATOS DE PACOTE QUE EMPREGAM CAMADA DE METALIZAÇÃO DE PAD PARA CAPACIDADE DE ROTEAMENTO DE SINAL AUMENTADA E PACOTES DE CIRCUITO INTEGRADO (IC) RELACIONADOS E MÉTODOS DE FABRICAÇÃO. Substratos de pacote que empregam uma camada de metalização de pad para capacidade de roteamento de sinal aumentada e pacotes de circuito integrado (IC) relacionados e métodos de fabricação. Para suportar densidade de roteamento de sinal aumentada em um pacote de IC, enquanto mitiga um aumento na espessura total de pacote de IC, uma camada de metalização externa do substrato de pacote é provida como uma camada de metalização de pad mais delgada. Uma camada de metal na camada de metalização de pad inclui pads de metal para formar conexões externas ao substrato de pacote. Isso permite que uma área na camada de metalização adjacente que, caso contrário, teria pads de metal de maior largura para formar interconexões externas, seja usada para outro roteamento de sinal dentro do substrato de pacote. Isso pode aumentar a densidade total de roteamento de sinal do substrato de pacote, enquanto mitiga o aumento na espessura total do substrato de pacote se uma camada de metalização adicional de tamanho completo for adicionada ao substrato de pacote.